2025-02-23T13:48:54-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-120959%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T13:48:54-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-120959%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T13:48:55-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T13:48:55-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
О влиянии вакансий на электронные свойства бериллия
Путем ab initio численного моделирования методом полного потенциала линеаризованных присоединенных плоских волн вычислены плотность электронных состояний и зарядовая плотность идеального кристалла бериллия и кристалла, в котором каждый 64-й узел решетки вакантен. Обнаружено, что плотность электро...
Saved in:
Main Authors: | , , , , |
---|---|
Format: | Article |
Language: | Russian |
Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2007
|
Series: | Физика низких температур |
Subjects: | |
Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120959 |
Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Summary: | Путем ab initio численного моделирования методом полного потенциала линеаризованных присоединенных
плоских волн вычислены плотность электронных состояний и зарядовая плотность идеального
кристалла бериллия и кристалла, в котором каждый 64-й узел решетки вакантен. Обнаружено,
что плотность электронных состояний бериллия с подрешеткой вакансий на уровне Ферми
примерно в два раза больше, чем у идеального кристалла. При этом зарядовая плотность электронов
проводимости на уровне Ферми имеет глубокий минимум в области вакансии и претерпевает существенные
изменения в межузельных полостях вокруг вакансии. Оценка показывает, что температура
сверхпроводящего перехода бериллия с вакансиями приблизительно в 150 раз выше, чем в идеальном
кристалле. |
---|