Dielectric relaxation in NaNbO₃ single crystal
Dielectric permittivity studies of reduced samples of NaNbO₃ single crystal in the range of temperatures 30–500 °C and frequency 20 Hz-1 MHz are reported. In this temperature range a relaxation process is observed in the frequency range of about 100 kHz. This is an additional process to the earlier...
Збережено в:
Дата: | 1999 |
---|---|
Автор: | |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
Інститут фізики конденсованих систем НАН України
1999
|
Назва видання: | Condensed Matter Physics |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121010 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Dielectric relaxation in NaNbO₃ single crystal / K. Konieczny // Condensed Matter Physics. — 1999. — Т. 2, № 4(20). — С. 655-660. — Бібліогр.: 8 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraineid |
irk-123456789-121010 |
---|---|
record_format |
dspace |
spelling |
irk-123456789-1210102017-06-14T03:06:01Z Dielectric relaxation in NaNbO₃ single crystal Konieczny, K. Dielectric permittivity studies of reduced samples of NaNbO₃ single crystal in the range of temperatures 30–500 °C and frequency 20 Hz-1 MHz are reported. In this temperature range a relaxation process is observed in the frequency range of about 100 kHz. This is an additional process to the earlier reported one [7]. The obtained data were fitted to Cole-Cole formula. The dispersion step ∆ǫ (the maximum value of ∆ǫ =1000) is temperature dependent. The mean relaxation time τ does not obey the Arrhenius law above TC. The occurrence of this relaxation process may be connected with oxygen vacancies. Досліджено діелектричну сприйнятливість зразків монокристалу NaNbO₃ в діапазонах температур 30–500 °C і частот 20 Гц–1 МГц. У цьому температурному проміжку в частотній області поблизу 100 кГц спостерігається релаксаційний процес, що є доповнювальним до виявленого раніше процесу [7]. Отримані дані апроксимуються за формулою Коул-Коула. Значення дисперсії ∆ε (максимальне значення ∆ε = 1000) залежить від температури. Закон Арреніуса не виконується для середнього часу релаксації τ вище TC. Поява цього релаксаційного процесу може пов’язуватися з кисневими вакансіями. 1999 Article Dielectric relaxation in NaNbO₃ single crystal / K. Konieczny // Condensed Matter Physics. — 1999. — Т. 2, № 4(20). — С. 655-660. — Бібліогр.: 8 назв. — англ. 1607-324X DOI:10.5488/CMP.2.4.655 PACS: 77.22.Ch, 77.22.Gm http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121010 en Condensed Matter Physics Інститут фізики конденсованих систем НАН України |
institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
collection |
DSpace DC |
language |
English |
description |
Dielectric permittivity studies of reduced samples of NaNbO₃ single crystal in the range of temperatures 30–500 °C and frequency 20 Hz-1 MHz are reported. In this temperature range a relaxation process is observed in the frequency range of about 100 kHz. This is an additional process to the earlier reported one [7]. The obtained data were fitted to Cole-Cole formula. The dispersion step ∆ǫ (the maximum value of ∆ǫ =1000) is temperature dependent. The mean relaxation time τ does not obey the Arrhenius law above TC. The occurrence of this relaxation process may be connected with oxygen vacancies. |
format |
Article |
author |
Konieczny, K. |
spellingShingle |
Konieczny, K. Dielectric relaxation in NaNbO₃ single crystal Condensed Matter Physics |
author_facet |
Konieczny, K. |
author_sort |
Konieczny, K. |
title |
Dielectric relaxation in NaNbO₃ single crystal |
title_short |
Dielectric relaxation in NaNbO₃ single crystal |
title_full |
Dielectric relaxation in NaNbO₃ single crystal |
title_fullStr |
Dielectric relaxation in NaNbO₃ single crystal |
title_full_unstemmed |
Dielectric relaxation in NaNbO₃ single crystal |
title_sort |
dielectric relaxation in nanbo₃ single crystal |
publisher |
Інститут фізики конденсованих систем НАН України |
publishDate |
1999 |
url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121010 |
citation_txt |
Dielectric relaxation in NaNbO₃ single crystal / K. Konieczny // Condensed Matter Physics. — 1999. — Т. 2, № 4(20). — С. 655-660. — Бібліогр.: 8 назв. — англ. |
series |
Condensed Matter Physics |
work_keys_str_mv |
AT koniecznyk dielectricrelaxationinnanbo3singlecrystal |
first_indexed |
2023-10-18T20:37:38Z |
last_indexed |
2023-10-18T20:37:38Z |
_version_ |
1796150688124764160 |