Filling of electronic states and crystal lattice deformation around dislocation wall
Within the band model we study the electron redistribution around the dislocation wall depending on the conduction band filling ( 0 < n < 1 ) taking into account the electron-deformation coupling. We show that as the conduction band filling n increases, the redistribution gets more localized a...
Збережено в:
| Дата: | 2000 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики конденсованих систем НАН України
2000
|
| Назва видання: | Condensed Matter Physics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121045 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Filling of electronic states and crystal lattice deformation around dislocation wall / R.M. Peleschak // Condensed Matter Physics. — 2000. — Т. 3, № 1(21). — С. 169-174. — Бібліогр.: 7 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-121045 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1210452017-06-14T03:03:12Z Filling of electronic states and crystal lattice deformation around dislocation wall Peleschak, R.M. Within the band model we study the electron redistribution around the dislocation wall depending on the conduction band filling ( 0 < n < 1 ) taking into account the electron-deformation coupling. We show that as the conduction band filling n increases, the redistribution gets more localized around the dislocation plane. It is established that an increase of the distance between the neighbouring dislocations raises the period of changes in charge density redistribution ∆n along the dislocation wall, whereas a change in the amplitude of the electron redistribution as a function of the distance to the dislocation plane is smoother. У рамках зонної моделі з врахуванням електрон-деформаційного зв’язку досліджено електронний перерозподіл в околі стінки дислокацій в залежності від ступеня заповнення ( 0 < n < 1 ) зон провідності. Показано, що зі збільшенням ступеня заповнення зони провідності n перерозподіл має більш локалізований в околі площини дислокацій характер. Встановлено, що збільшення відстані між сусідніми дислокаціями приводить до збільшення періоду зміни перерозподілу електронної густини ∆n вздовж розміщення стінки дислокацій, а зміна амплітуди електронного перерозподілу як функції відстані до площини дислокацій має при цьому більш плавний характер. 2000 Article Filling of electronic states and crystal lattice deformation around dislocation wall / R.M. Peleschak // Condensed Matter Physics. — 2000. — Т. 3, № 1(21). — С. 169-174. — Бібліогр.: 7 назв. — англ. 1607-324X DOI:10.5488/CMP.3.1.169 PACS: 61.72.Lk, 68.35.-p, 68.55.Ln http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121045 en Condensed Matter Physics Інститут фізики конденсованих систем НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
English |
| description |
Within the band model we study the electron redistribution around the dislocation wall depending on the conduction band filling ( 0 < n < 1 ) taking into account the electron-deformation coupling. We show that as the
conduction band filling n increases, the redistribution gets more localized
around the dislocation plane. It is established that an increase of the distance between the neighbouring dislocations raises the period of changes
in charge density redistribution ∆n along the dislocation wall, whereas a
change in the amplitude of the electron redistribution as a function of the
distance to the dislocation plane is smoother. |
| format |
Article |
| author |
Peleschak, R.M. |
| spellingShingle |
Peleschak, R.M. Filling of electronic states and crystal lattice deformation around dislocation wall Condensed Matter Physics |
| author_facet |
Peleschak, R.M. |
| author_sort |
Peleschak, R.M. |
| title |
Filling of electronic states and crystal lattice deformation around dislocation wall |
| title_short |
Filling of electronic states and crystal lattice deformation around dislocation wall |
| title_full |
Filling of electronic states and crystal lattice deformation around dislocation wall |
| title_fullStr |
Filling of electronic states and crystal lattice deformation around dislocation wall |
| title_full_unstemmed |
Filling of electronic states and crystal lattice deformation around dislocation wall |
| title_sort |
filling of electronic states and crystal lattice deformation around dislocation wall |
| publisher |
Інститут фізики конденсованих систем НАН України |
| publishDate |
2000 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121045 |
| citation_txt |
Filling of electronic states and crystal lattice deformation around dislocation wall / R.M. Peleschak // Condensed Matter Physics. — 2000. — Т. 3, № 1(21). — С. 169-174. — Бібліогр.: 7 назв. — англ. |
| series |
Condensed Matter Physics |
| work_keys_str_mv |
AT peleschakrm fillingofelectronicstatesandcrystallatticedeformationarounddislocationwall |
| first_indexed |
2023-10-18T20:37:53Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:37:53Z |
| _version_ |
1796150699461967872 |