Specificity of high-pure monocrystalline silicon production for various registering and converting devices
In this paper, recent results of studies focused on detector-grade silicon monocrystals production are summarized and systematized. Described are the manufacturing technology of silicon rod with a diameter up to 105 mm and dislocation-free monocrystals used for fabrication of large area detectors, p...
Збережено в:
Видавець: | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
---|---|
Дата: | 2000 |
Автори: | Trubitsyn, Yu.V., Zverev, S.V. |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2000
|
Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121082 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Цитувати: | Specificity of high-pure monocrystalline silicon production for various registering and converting devices / Yu.V. Trubitsyn, S.V. Zverev // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2000. — Т. 3, № 2. — С. 195-199. — Бібліогр.: 6 назв. — англ. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Radiative processes of amorphization and hydrogenation in monocrystalline silicon
за авторством: Dovbnya, A.N., та інші
Опубліковано: (2001) -
Monocrystalline structure formation of doped perfect silicon crystals
за авторством: Azarenkov, N.А., та інші
Опубліковано: (2016) -
A mechanism of diamond-abrasive finishing of monocrystalline silicon carbide
за авторством: Ju. D. Filatov, та інші
Опубліковано: (2013) -
Creation of spatial quantum filaments in the volume of monocrystalline silicon by the coulomb explosion
за авторством: V. P. Efimov
Опубліковано: (2010) -
Genesis of initial defects in the process of monocrystalline silicon oxidation with subsequent scribing
за авторством: V. A. Smyntyna, та інші
Опубліковано: (2010)