Photopleochroism of surface-barrier structures based on semiinsulating cadmium telluride
The method of mass-transfer reaction with compounds NH₄ (Cl, Br, J) as a transроrting agent is developed, and single crystals of semiinsulating CdTe are grown. Interaction of plane-polarized radiation with In-p-CdTe barrier fabricated on these single crystals is investigated. It is shown that at inc...
Збережено в:
| Дата: | 2000 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2000
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121171 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Photopleochroism of surface-barrier structures based on semiinsulating cadmium telluride / G.A. Ilchuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2000. — Т. 3, № 3. — С. 349-351. — Бібліогр.: 7 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineБудьте першим, хто залишить коментар!