Photoluminescent films of nanocrystalline silicon doped with metals
Effects of electropositive (Au, Ag, Cu) and electronegative (Al, In) metal impurities are investigated from the viewpoint of photoluminescent and electronic properties of nanocrystalline silicon films prepared by laser ablation when depositing them onto a silicon substrate. Measured are time-resolve...
Збережено в:
Дата: | 2002 |
---|---|
Автори: | , , , , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2002
|
Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121181 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Photoluminescent films of nanocrystalline silicon doped with metals / E.B. Kaganovich, S.I. Kirillova, E.G. Manoilov, V.E. Primachenko, S.V. Svechnikov, E.F. Venger, I.R. Bazylyuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2002. — Т. 5, № 2. — С. 125-132. — Бібліогр.: 23 назв. — англ. |