Structural changes in molten CdTe
Shear viscosity (h) measurements of CdTe and CdTe + 2 at% In melts were performed using a cup viscometer up to 1403 K. The h(T) dependencies obtained during slow heating and cooling (Vh/c = = 10-15 K/h) show hysteresys near a melting point. According to the η(T) dependencies data drastic changes the...
Збережено в:
Дата: | 2000 |
---|---|
Автори: | Shcherbak, L., Feychuk, P., Plevachuk, Yu., Dong, Ch., Sklyarchuk, V. |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2000
|
Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121214 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Structural changes in molten CdTe / L. Shcherbak, P. Feychuk, Yu. Plevachuk, Ch. Dong, V. Sklyarchuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2000. — Т. 3, № 4. — С. 456-459. — Бібліогр.: 20 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Screen-printed p-CdTe layers for CdS/CdTe solar cells
за авторством: Klad'ko, V.P., та інші
Опубліковано: (2005) -
Surface and interface bands of the CdTe–HgTe–CdTe heterostructure: Evidence of metallicity
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021) -
Surface and interface bands of the CdTe–HgTe–CdTe heterostructure: Evidence of metallicity
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021) -
Si as dopant impurity in CdTe
за авторством: Fochuk, P.M., та інші
Опубліковано: (2005) -
Influence of impurities and structural defects on electrophysical and detector properties of CdTe and CdZnTe
за авторством: A. I. Kondrik, та інші
Опубліковано: (2019)