Investigations of surface morphology and microrelief of GaAs single crystals by complementary methods
The paper presents the study of morphology and roughness of (100) surfaces of GaAs single crystals grown by the Czochralski method. The surfaces were prepared in a different way: mechanical polishing, chemomechanical polishing, mechanical grinding, wet polishing etching, anisotropic etching. The X-r...
Збережено в:
| Дата: | 2000 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2000
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121224 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Investigations of surface morphology and microrelief of GaAs single crystals by complementary methods / D. Zymierska, J. Auleytner, N. Dmitruk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2000. — Т. 3, № 4. — С. 438-444. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. |