Influence of the annealing of silicon crystals at 1200 °C on the Hall effect and magnetoresistance
The influence of the annealing (at Тanneal. = 1200 °C) and different rates of cooling (from Тanneal. to room temperature) on magnetoresistance and Hall effect of the n-Si:P monocrystals with different specific resistance, which were grown by means of various technologies, have been investigated. It...
Збережено в:
| Дата: | 2002 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2002
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121238 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Influence of the annealing of silicon crystals at 1200 °C on the Hall effect and magnetoresistance / P.I. Baranskyy, G.P. Gaydar, P.G. Litovchenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2002. — Т. 5, № 3. — С. 231-234. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. |