Total energy, equation of states and bulk modulus of Si and Ge

• Дата: 2002
• Автори: Jivani, A.R., Gajjar, P.N., Jani, A.R.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2002
• Назва видання: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121240
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Total energy, equation of states and bulk modulus of Si and Ge / A.R. Jivani, P.N. Gajjar, A.R. Jani // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2002. — Т. 5, № 3. — С. 243-246. — Бібліогр.: 21 назв. — англ.

A model potential describing electron-ion interaction is presented for intrinsic semiconductors Si and Ge. The present model potential is single parametric, continuous in r-space and weaker within core and Coulombic outside the core. The parameter of the potential is determined using the equilibrium...