Characterization of MOS structure using low-k dielectric methylsilsesquioxane with evaporated and sputtered aluminium gate
The organic methylsilsesquioxane (MSQ) demonstrates low dielectric constant value (2.6) and is promising interlayer dielectric material to reduce the capacitive coupling between metal layers in semiconductor integrated circuits. However, MSQ has lower film density and therefore is more porous than t...
Збережено в:
| Видавець: | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2002 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2002
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121295 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Characterization of MOS structure using low-k dielectric methylsilsesquioxane with evaporated and sputtered aluminium gate / K.C. Aw, K. Ibrahim // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2002. — Т. 5, № 3. — С. 316-318. — Бібліогр.: 5 назв. — англ. |