Photo-enchanced defect reactions in CdS:Ag crystals
Two reversible photo-enhanced defect reactions proceeding under visible light illumination have been found in CdS:Ag crystals. The first process leads to the increase of crystal photosensitivity, which has been shown to be caused by creation of "sensitizing" recombination centres. The seco...
Збережено в:
Дата: | 2002 |
---|---|
Автори: | Khomenkova, L.Yu., Markevich, I.V. |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2002
|
Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121296 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Photo-enchanced defect reactions in CdS:Ag crystals / L.Yu. Khomenkova, I.V. Markevich // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2002. — Т. 5, № 3. — С. 264-267. — Бібліогр.: 13 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Metastable interstitials in CdSe and CdS crystals
за авторством: Borkovska, L.V., та інші
Опубліковано: (2003) -
About the nature of diffusion anisotropy in CdS crystals
за авторством: Borkovskaya, L.V., та інші
Опубліковано: (2000) -
Photo-induced effects in (Ag₃AsS₃)₀.₆(As₂S₃)₀.₄ thin films and multilayers with gold nanoparticles
за авторством: Neimet, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2015) -
An estimate of cross-section of photo-proton reactions on ⁴⁷⁻⁵⁰Ti isotopes
за авторством: Dikiy, N.P., та інші
Опубліковано: (2022) -
About mechanism of high-voltage photo emf formation in thin slanting deposited films CdTe:Ag by own and admixture absorption
за авторством: Ju. Ju. Vajtkus, та інші
Опубліковано: (2005)