Modified optical OR and AND gates
This paper deals with optical OR and AND gate, using unijunction transistor (UJT), light emitting diode (LED), and photo-resistor (LDR). Effort is made to extend the development of the gates using UJT, LDR, and LED to work at 1.8 Vdc instead of 3 Vdc. The power dissipation is approximately 2 mW. The...
Збережено в:
| Дата: | 2002 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2002
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121352 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Modified optical OR and AND gates / Avireni Srinivasulu // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2002. — Т. 5, № 4. — С. 428-430. — Бібліогр.: 8 назв. — англ. |