Критические токи, центры и линии проскальзывания фазы параметра порядка в сверхпроводящих пленках в отсутствие внешнего магнитного поля

• Дата: 2005
• Автори: Дмитриев, В.М., Золочевский, И.В., Саленкова, Т.В., Христенко, Е.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2005
• Назва видання: Физика низких температур
• Теми: Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121395
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Критические токи, центры и линии проскальзывания фазы параметра порядка в сверхпроводящих пленках в отсутствие внешнего магнитного поля / В.М. Дмитриев, И.В. Золочевский, Т.В. Саленкова, Е.В. Христенко // Физика низких температур. — 2005. — Т. 31, № 2. — С. 169-181. — Бібліогр.: 32 назв. — рос.

Исследованы температурные зависимости вольт-амперных характеристик высококачественных тонких оловянных пленок шириной от 7 до 50 мкм в отсутствие внешнего магнитного поля. Впервые на одних и тех же образцах наблюдаются центры проскальзывания фазы (ЦПФ) вблизи Tc, где они являются узкими каналами, а с понижением температуры, когда эти же пленки становятся широкими, наблюдаются линии проскальзывания фазы (ЛПФ). Критический ток при этом испытывает температурный кроссовер, влияющий на его абсолютное значение, но в некотором температурном интервале сохраняющий температурную зависимость вида (1 - T/Tc)³/². При дальнейшем понижении температуры критический ток вхождения собственных вихрей в образец линейно зависит от температуры и соответствует теории Асламазова–Лемпицкого. Температура начала кроссовера при понижении температуры совпадает с температурой, при которой ширина пленки равна учетверенному значению глубины проникновения слабого магнитного поля, перпендикулярного плоскости пленки. По обе стороны этого равенства пленки являются либо узкими, либо широкими. Ток образования первого ЦПФ является равномерно распределенным по ширине пленки критическим током распаривания Гинзбурга–Ландау. Ток образования первой ЛПФ является специфически распределенным по ширине образца током неустойчивости вихревого состояния, предсказанным Асламазовым и Лемпицким.