Fabrication and characterization of a 0.14 μm CMOS device using ATHENA and ATLAS simulators
A 0.14 µm CMOS transistor with two levels of interconnection was designed and simulated to investigate its functionality and characteristics. ATHENA and ATLAS simulators were used to simulate the fabrication process and to validate the electrical characteristics, respectively. A scaling factor of 0....
Збережено в:
| Дата: | 2006 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2006
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121430 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Fabrication and characterization of a 0.14 μm CMOS device using ATHENA and ATLAS simulators / Ibrahim Ahmad, Yeap Kim Ho, Burhanuddin Yeop Majlis // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2006. — Т. 9, № 2. — С. 40-44. — Бібліогр.: 8 назв. — англ. |