Synthesis and properties of semiconductor solid solutions (inSb)₁₋x(CdTe)x
We consider the growth technology and investigations of indium antimonide doped concurrently with acceptor (Сd) and donor (Те) impurities taken in equiatomic ratio. The optimal modes of single crystal synthesis and crystallization are determined. It is shown that, when doping the indium antimonide,...
Збережено в:
| Дата: | 2006 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2006
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121438 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Synthesis and properties of semiconductor solid solutions (inSb)₁₋x(CdTe)x / E.F. Venger, L.M. Knorozok, L.Yu. Melnichuk, O.V. Melnichuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2006. — Т. 9, № 2. — С. 80-86. — Бібліогр.: 11 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineБудьте першим, хто залишить коментар!