p-n junctions obtained in (Ge₂)x(GaAs)₁₋x varizone solid solutions by liquid phase epitaxy
(Ge₂)x(GaAs)₁₋x graded gap layers were grown using the method of liquid phase epitaxy on GaAs substrates. Investigated are distributions of chemical components along the thickness of the epitaxial layer. In accord to the scan patterns obtained in characteristic X-rays, the layers have a perfect stru...
Збережено в:
| Дата: | 2005 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2005
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121540 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | p-n junctions obtained in (Ge₂)x(GaAs)₁₋x varizone solid solutions by liquid phase epitaxy / AUTHORS // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2005. — Т. 8, № 4. — С. 33-34. — Бібліогр.: 2 назв. — англ. |