p-n junctions obtained in (Ge₂)x(GaAs)₁₋x varizone solid solutions by liquid phase epitaxy

p-n junctions obtained in (Ge₂)x(GaAs)₁₋x varizone solid solutions by liquid phase epitaxy

(Ge₂)x(GaAs)₁₋x graded gap layers were grown using the method of liquid phase epitaxy on GaAs substrates. Investigated are distributions of chemical components along the thickness of the epitaxial layer. In accord to the scan patterns obtained in characteristic X-rays, the layers have a perfect stru...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2005
Автори:	Sapaev, B., Saidov, A.S., Sapaev, I.B.
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2005
Назва видання:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121540
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	p-n junctions obtained in (Ge₂)x(GaAs)₁₋x varizone solid solutions by liquid phase epitaxy / AUTHORS // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2005. — Т. 8, № 4. — С. 33-34. — Бібліогр.: 2 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Spectroscopy of the solid solutions (Si₂)₁₋x(ZnS)x
за авторством: Sapaev, B., та інші
Опубліковано: (2005)

Structural and composition irregularities in GaAs:Si/GaAs films grown by liquid-phase epitaxy
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2000)

Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)

Sharp interfaces in p+-AlGaAs/n-GaAs epitaxial structures obtained by MOCVD
за авторством: N. M. Vakiv, та інші
Опубліковано: (2014)

Investigation of electrical and photovoltaic properties In-CdSxTe1-x-Si-In structure
за авторством: I. B. Sapaev
Опубліковано: (2013)

Concentration-size dependences for the electron energy in AlxGa₁₋xAs/GaAs/AlxGa₁₋xAs nanofilms
за авторством: Kondryuk, D.V., та інші
Опубліковано: (2014)

Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)

Instability of homogeneous composition of highly strained quantum wells in heterostructures GaAs/InxGa₁₋xAs/GaAs
за авторством: Klimovskaya, A.I., та інші
Опубліковано: (2002)

Concentration-dimension dependences for the electron energy in AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs nanofilms
за авторством: D. V. Kondryuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Obtaining heterostructures with quantium dots for sensors by using liquid phase epitaxy
за авторством: Maronchuk, I.E., та інші
Опубліковано: (2004)

Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна
за авторством: Аркуша, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2004)

Optical properties of GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs quantum dot with off-central impurity driven by electric field
за авторством: Holovatsky, V.A., та інші
Опубліковано: (2018)

Thickness, concentration, and temperature dependences of exciton transition energies in AlxGa1–xAs/GaAs/AlxGa1–xAs nanofilms
за авторством: D. V. Kondriuk, та інші
Опубліковано: (2015)

Thickness, concentration, and temperature dependences of exciton transition energies in AlxGa1–xAs/GaAs/AlxGa1–xAs nanofilms
за авторством: D. V. Kondryuk, та інші
Опубліковано: (2015)

Experimental study and theoretical analysis of photoelectric characteristics of AlxGa₁₋xAs–p-GaAs–n-GaAs-based photoconverters with relief interfaces
за авторством: Dmitruk, N.L., та інші
Опубліковано: (2005)

The injection photo diode on the basis of nSi-nCdS-n⁺CdS heterostructures
за авторством: Sapaev, I.B.
Опубліковано: (2013)

Obtaining periodic layers GaAs by electrochemical etching
за авторством: A. F. Djadenchuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Theoretical consideration of charge transport through the nanoindentor/GaAs junction
за авторством: Kosogor, A.O., та інші
Опубліковано: (2008)

Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2007)

Electron- and hole-phonon interaction in quantum dot embedded into semiconductor medium (GaAs/AlxGa₁₋xAs)
за авторством: Tkach, M.V., та інші
Опубліковано: (2001)

Excitonic parameters of InxGa1-xAs−GaAs heterostructures with quantum wells at low temperatures
за авторством: N. M. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Excitonic parameters of InxGa1-xAs−GaAs heterostructures with quantum wells at low temperatures
за авторством: N. M. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Temperature changes in the excitonic absorption band in flat double nanoheterostructures GaAs/AlxGa₁₋xAs
за авторством: Kondryuk, D.V., та інші
Опубліковано: (2015)

Temperature changes in the excitonic absorption band in flat double nanoheterostructures GaAs/AlxGa₁₋xAs
за авторством: Kondryuk, D.V., та інші
Опубліковано: (2015)

Theory of high-field electron transport in the heterostructures AlxGa₁₋xAs/GaAs/AlxGa₁₋xAs with delta-doped barriers. Effect of real-space transfer
за авторством: Korotyeyev, V.V.
Опубліковано: (2015)

Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Vainberg, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)

Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2013)

Fabrication, properties and application of Ge-on-GaAs thin nanoheterogeneous films
за авторством: E. F. Venger, та інші
Опубліковано: (2014)

Optimization of technological parameters of ohmic contact junctions for GaAs-AlGaAs-based transistor structures
за авторством: Konakova, R.V., та інші
Опубліковано: (2002)

Anisotropy of elastic deformations in multilayer (In,Ga)As/GaAs structures with quantum wires: X-ray diffractometry study
за авторством: Strelchuk, V.V., та інші
Опубліковано: (2005)

Magnetic field effect on the binding energy of a hydrogenic impurity in GaAs-Ga₁₋xAlxAs superlattice
за авторством: Abouelaoualim, D.
Опубліковано: (2005)

Solid state doping of CdxHg₁₋xTe epitaxial layers with elements of V group
за авторством: Vlasov, A.P., та інші
Опубліковано: (2006)

High-resistance low-doped GaAs and AlGaAs layers obtained by LPE
за авторством: Krukovsky, S.I., та інші
Опубліковано: (2003)

Optically controlled 2D tunnelling in GaAs delta-doped p-n junction
за авторством: Vitusevich, S. A., та інші
Опубліковано: (1999)

Theory of high-field electron transport in the heterostructures AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-x with delta-doped barriers. Effect of real-space transfer
за авторством: V. V. Korotyeyev
Опубліковано: (2015)

Temperature changes in the exciton absorption band observed in flat double nanoheterostructures GaAs/AlxGa1-xAs
за авторством: D. V. Kondryuk, та інші
Опубліковано: (2015)

Nanostructurization of Si and GaAs by acoustic cavitation in liquid nitrogen
за авторством: S. V. Biletskyi, та інші
Опубліковано: (2015)

Glass formation region and X-ray analysis of the glassy alloys in AgGaSe₂+GeS₂<=>AgGaS₂+GeSe₂ system
за авторством: Halyan, V.V., та інші
Опубліковано: (2009)

Thick layers liquid-phase epitaxy method
за авторством: S. N. Dranchuk, та інші
Опубліковано: (2013)

Екситоннi характеристики InxGa1-xAs-GaAs гетероструктур з квантовими ямами при низьких температурах
за авторством: Litovchenko, N. M., та інші
Опубліковано: (2018)