Some physical properties of Si₁₋xGex solid solutions using pseudo-alloy atom model
Some electronic, thermodynamical and mechanical properties of Si1-xGex solid solution with an arbitrary (atomic) concentration (x) are studied using the pseudo-alloy atom model. This work is based on the pseudopotential theory of covalent crystals and on the higher-order perturbation scheme with the...
Збережено в:
| Дата: | 2005 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2005
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121544 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Some physical properties of Si₁₋xGex solid solutions using pseudo-alloy atom model / A.R. Jivani, H.J. Trivedi, P.N. Gajjar, A.R. Jani // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2005. — Т. 8, № 4. — С. 14-17. — Бібліогр.: 21 назв. — англ. |