ZnTe-based UV sensors
A р-ZnTe/n-CdSe heterojunction was used for making polycrystalline ZnTebased UV sensors. The heteropair components have the same crystal structure and close lattice parameters. ZnTe and CdSe were grown using thermal evaporation and quasiclosed space condensation. A transparent current collecting ele...
Збережено в:
| Дата: | 2016 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2016
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121564 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | ZnTe-based UV sensors / S.Yu. Pavelets, Yu.N. Bobrenko, T.V. Semikina, G.I. Sheremetova, В.S. Atdaiev, K.B. Krulikovska, M.S. Mazin // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2016. — Т. 19, № 2. — С. 197-200. — Бібліогр.: 11 назв. — англ. |