Noise induced re-entrant transitions in exciton bistable system
We study a re-entrant transition in an exciton bistable system under the influence of multiplicative noise. The re-entrant behavior is predictable for specific values of the system control parameter when increasing the multiplicative noise intensity. The system of Wannier-Mott excitons exhibits bist...
Збережено в:
| Видавець: | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2006 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2006
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121581 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Noise induced re-entrant transitions in exciton bistable system / Yu. Gudyma, B. Ivans'kii, O. Semenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2006. — Т. 9, № 1. — С. 88-92. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. |