Defects with deep donor and acceptor levels in nanocrystals of CdTe and CdSe
The defects in CdTe and CdSe nanocrystals were studied by comparing the photoluminescence spectra and cyclic voltammetry dependences, which enabled us to identify two main electron levels in CdTe and four in CdSe NCs. In CdTe nanocrystals these levels are: a hole trap at the energy EV + 0.5 eV and a...
Збережено в:
| Видавець: | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2006 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2006
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121609 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Defects with deep donor and acceptor levels in nanocrystals of CdTe and CdSe / V.N. Babentsov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2006. — Т. 9, № 3. — С. 94-98. — Бібліогр.: 14 назв. — англ. |