Defects with deep donor and acceptor levels in nanocrystals of CdTe and CdSe
The defects in CdTe and CdSe nanocrystals were studied by comparing the photoluminescence spectra and cyclic voltammetry dependences, which enabled us to identify two main electron levels in CdTe and four in CdSe NCs. In CdTe nanocrystals these levels are: a hole trap at the energy EV + 0.5 eV and a...
Збережено в:
Дата: | 2006 |
---|---|
Автор: | Babentsov, V.N. |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2006
|
Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121609 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Defects with deep donor and acceptor levels in nanocrystals of CdTe and CdSe / V.N. Babentsov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2006. — Т. 9, № 3. — С. 94-98. — Бібліогр.: 14 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Properties of CdSe heterolayers obtained by isovalent substitution on CdTe substrates
за авторством: V. P. Makhniy, та інші
Опубліковано: (2012) -
Properties of CdSe heterolayers obtained by isovalent substitution on CdTe substrates
за авторством: Makhniy, V.P., та інші
Опубліковано: (2012) -
Deep-level defects in CdSe/ZnSe QDs and giant anti-Stokes photoluminescence
за авторством: Valakh, M.Ya., та інші
Опубліковано: (2002) -
Temperature dependences of the heat capacity of sphalerite crystals of CdS, CdSe, CdTe cadmium chalcogenides
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2015) -
Фоточувствительность анодов на основе поликристаллических пленок CdSe и CdSe₀.₆₅Te₀.₃₅
за авторством: Слободянюк, И.А., та інші
Опубліковано: (2010)