Photoelectric properties of single crystals Ag₃In₅Se₉
Low-resistance and high-resistance single crystals of Ag₃In₅Se₉ compound have been grown using the methods of zone recrystallization and slow cooling at a constant gradient of temperature. We have investigated spectral and lux-ampere characteristics of photoconductivity and determined the mechanism...
Збережено в:
Дата: | 2006 |
---|---|
Автори: | Huseynov, A.H., Mamedov, R.M. |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2006
|
Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121614 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Photoelectric properties of single crystals Ag₃In₅Se₉ / A.H. Huseynov, R.M. Mamedov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2006. — Т. 9, № 3. — С. 25-28. — Бібліогр.: 7 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Electrical and optical properties of AgGaGe2S2Se4 single crystals
за авторством: H. L. Myronchuk, та інші
Опубліковано: (2012) -
Electrical and optical properties of AgGaGe2S2Se4 single crystals
за авторством: G. L. Myronchuk, та інші
Опубліковано: (2012) -
Optical and photoelectrical properties of lamellar gallium sulfide single crystals irradiated by γ-quanta
за авторством: Madatov, R.S., та інші
Опубліковано: (2006) -
Influence of Cu-, Sn-, and In-doping on optical properties of AgGaGe3 Se8 single crystals
за авторством: A. S. Krymus, та інші
Опубліковано: (2016) -
Influence of Cu-, Sn-, and In-doping on optical properties of AgGaGe3 Se8 single crystals
за авторством: A. S. Krymus, та інші
Опубліковано: (2016)