Polarizability of D+X complex in bulk semiconductors

The electric polarizability α of ionized-donor-bound exciton D+X in bulk semiconductor is calculated for all values of the effective electron-to-hole mass ratio σ included in the range of stability (σ<σχ). The calculation is performed within the variational method by using 56-term wave function....

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Дата:2006
Автори: Katih, M., Diouri, J., El Haddad, A.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2006
Назва видання:Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121639
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Цитувати:Polarizability of D+X complex in bulk semiconductors / M. Katih, J. Diouri, A. El Haddad // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2006. — Т. 9, № 4. — С. 7-11. — Бібліогр.: 16 назв. — англ.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:The electric polarizability α of ionized-donor-bound exciton D+X in bulk semiconductor is calculated for all values of the effective electron-to-hole mass ratio σ included in the range of stability (σ<σχ). The calculation is performed within the variational method by using 56-term wave function. An asymptotic behavior of α in the vicinity of the critical value σc is deduced. We have also calculated the limiting value σ for which the polarizability equals that of D− system.