Взаимосвязь между спиновым состоянием марганца и стабильностью кристаллической структуры соединений MnAs и MnP
Исходя из первых принципов, методом FP–LMTO исследовано основное состояние арсенида и фосфида марганца, имеющих гексагональную В8₁ и искаженную ромбическую В31 кристаллические структуры. Показано, что в этих соединениях при изменении объема решетки происходит непрерывный переход от высокоспиновог...
Збережено в:
Дата: | 2005 |
---|---|
Автори: | , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2005
|
Назва видання: | Физика низких температур |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121662 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Взаимосвязь между спиновым состоянием марганца и стабильностью кристаллической структуры соединений MnAs и MnP / В.И. Вальков, А.В. Головчан // Физика низких температур. — 2005. — Т. 31, № 6. — С. 695-702. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineРезюме: | Исходя из первых принципов, методом FP–LMTO исследовано основное состояние арсенида
и фосфида марганца, имеющих гексагональную В8₁ и искаженную ромбическую В31 кристаллические
структуры. Показано, что в этих соединениях при изменении объема решетки происходит
непрерывный переход от высокоспинового к низкоспиновому состоянию, причем магнитный
момент атомов марганца оказывается одинаковым при одинаковых объемах. Исходя из результатов
расчета полной энергии исследуемых систем как функции параметров структурных искажений,
установлено, что высокоспиновое состояние подавляет структурные искажения, а низкоспиновое
усиливает их. Показано, что различие кристаллической и магнитной структур арсенида и
фосфида марганца вызвано только различными объемами решетки, т.е. замена мышьяка фосфором
эквивалентна наложению внешнего гидростатического давления. Высказано предположение,
что качественная интерпретация механизма магнитоструктурных переходов в MnAs должна исходить
из представления о главенствующей роли степени заполнения «антисвязующих» состояний
коллективизированных носителей магнетизма. |
---|