Сверхтекучесть и заряженные вихри в системах со спонтанной межслоевой когерентностью в пределе низкой плотности
Изучены условия образования связанного состояния между двумерными пространственно разделенными электроном и дыркой в магнитном поле, нормальном к плоскости движения носителей. Найдены энергия связи, эффективная масса и электрическая поляризуемость электрон-дырочной пары в зависимости от расстоян...
Збережено в:
Дата: | 2005 |
---|---|
Автори: | , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2005
|
Назва видання: | Физика низких температур |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121666 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Сверхтекучесть и заряженные вихри в системах со спонтанной межслоевой когерентностью в пределе низкой плотности / С.И. Шевченко, К.А. Наседкин // Физика низких температур. — 2005. — Т. 31, № 7. — С. 735-744. — Бібліогр.: 27 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineРезюме: | Изучены условия образования связанного состояния между двумерными пространственно
разделенными электроном и дыркой в магнитном поле, нормальном к плоскости движения
носителей. Найдены энергия связи, эффективная масса и электрическая поляризуемость электрон-дырочной пары в зависимости от расстояния между проводящими слоями d. Проанализированы
особенности сверхтекучести бозе-газа электрон-дырочных пар в случае низкой плотности.
Установлено, что квантованные вихри в сверхтекучей фазе имеют реальный электрический
заряд, величина которого зависит от плотности пар и расстояния между слоями. В случае малых
d и сильных магнитных полей заряд вихря q = ve, где v — фактор заполнения носителями
нижнего уровня Ландау. Исследована устойчивость бозе-газа пар относительно перехода в кристаллическое
состояние и показано, что при малых d температура кристаллизации пар Tm существенно
ниже температуры сверхтекучего перехода Тс. С ростом d температура Tm растет
быстрее, чем Тс и существует критическое значение d, при котором область существования
сверхтекучей фазы обращается в нуль. |
---|