Сверхтекучесть и заряженные вихри в системах со спонтанной межслоевой когерентностью в пределе низкой плотности

Изучены условия образования связанного состояния между двумерными пространственно разделенными электроном и дыркой в магнитном поле, нормальном к плоскости движения носителей. Найдены энергия связи, эффективная масса и электрическая поляризуемость электрон-дырочной пары в зависимости от расстоян...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2005
Автори: Шевченко, С.И., Наседкин, К.А.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2005
Назва видання:Физика низких температур
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121666
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Сверхтекучесть и заряженные вихри в системах со спонтанной межслоевой когерентностью в пределе низкой плотности / С.И. Шевченко, К.А. Наседкин // Физика низких температур. — 2005. — Т. 31, № 7. — С. 735-744. — Бібліогр.: 27 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:Изучены условия образования связанного состояния между двумерными пространственно разделенными электроном и дыркой в магнитном поле, нормальном к плоскости движения носителей. Найдены энергия связи, эффективная масса и электрическая поляризуемость электрон-дырочной пары в зависимости от расстояния между проводящими слоями d. Проанализированы особенности сверхтекучести бозе-газа электрон-дырочных пар в случае низкой плотности. Установлено, что квантованные вихри в сверхтекучей фазе имеют реальный электрический заряд, величина которого зависит от плотности пар и расстояния между слоями. В случае малых d и сильных магнитных полей заряд вихря q = ve, где v — фактор заполнения носителями нижнего уровня Ландау. Исследована устойчивость бозе-газа пар относительно перехода в кристаллическое состояние и показано, что при малых d температура кристаллизации пар Tm существенно ниже температуры сверхтекучего перехода Тс. С ростом d температура Tm растет быстрее, чем Тс и существует критическое значение d, при котором область существования сверхтекучей фазы обращается в нуль.