2025-02-23T17:06:23-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-121666%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T17:06:23-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-121666%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T17:06:23-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T17:06:23-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Сверхтекучесть и заряженные вихри в системах со спонтанной межслоевой когерентностью в пределе низкой плотности
Изучены условия образования связанного состояния между двумерными пространственно разделенными электроном и дыркой в магнитном поле, нормальном к плоскости движения носителей. Найдены энергия связи, эффективная масса и электрическая поляризуемость электрон-дырочной пары в зависимости от расстоян...
Saved in:
Main Authors: | , |
---|---|
Format: | Article |
Language: | Russian |
Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2005
|
Series: | Физика низких температур |
Subjects: | |
Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121666 |
Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Summary: | Изучены условия образования связанного состояния между двумерными пространственно
разделенными электроном и дыркой в магнитном поле, нормальном к плоскости движения
носителей. Найдены энергия связи, эффективная масса и электрическая поляризуемость электрон-дырочной пары в зависимости от расстояния между проводящими слоями d. Проанализированы
особенности сверхтекучести бозе-газа электрон-дырочных пар в случае низкой плотности.
Установлено, что квантованные вихри в сверхтекучей фазе имеют реальный электрический
заряд, величина которого зависит от плотности пар и расстояния между слоями. В случае малых
d и сильных магнитных полей заряд вихря q = ve, где v — фактор заполнения носителями
нижнего уровня Ландау. Исследована устойчивость бозе-газа пар относительно перехода в кристаллическое
состояние и показано, что при малых d температура кристаллизации пар Tm существенно
ниже температуры сверхтекучего перехода Тс. С ростом d температура Tm растет
быстрее, чем Тс и существует критическое значение d, при котором область существования
сверхтекучей фазы обращается в нуль. |
---|