Низкочастотные фононы в микроконтактном спектре MgB₂
Методом микроконтактной спектроскопии исследованы вторые производные вольт-амперных характеристик гетероконтактов между пленкой MgB₂ и контрэлектродами чистых металлов (Cu, Ag, Au, Be). Микроконтактные спектры изучали в нормальном (T ≥ Tc) и сверхпроводящем (T < Tc) состоянии вдоль направлени...
Збережено в:
| Дата: | 2005 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2005
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121715 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Низкочастотные фононы в микроконтактном спектре MgB₂ / В.В. Фисун, Л.Ю. Трипутень, И.К. Янсон // Физика низких температур. — 2005. — Т. 31, № 10. — С. 1104-1109. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Методом микроконтактной спектроскопии исследованы вторые производные вольт-амперных
характеристик гетероконтактов между пленкой MgB₂ и контрэлектродами чистых металлов
(Cu, Ag, Au, Be). Микроконтактные спектры изучали в нормальном (T ≥ Tc) и сверхпроводящем
(T < Tc) состоянии вдоль направления оси с. В нормальном состоянии на спектрах
наблюдается особенность в интервале энергий ~ 20–30 мВ в виде широкого пика или размытого
излома. Сделано предположение, что низкочастотные моды фононного спектра также ответственны
за высокое значение температуры сверхпроводящего перехода в MgB₂. В сверхпроводящем
состоянии спектральные особенности приобретают N-образный вид в области энергий низкочастотного
пика. |
|---|