Низкотемпературный фононный транспорт в 3D-микроконтактах (Обзор)

Обзор посвящен описанию неравновесных систем носителей, релаксационных и кинетических явлений в трехмерных микроконтактах. Основное внимание уделяется описанию фононной системы, которая существенно модифицируется в условиях баллистического транспорта. В таких системах потоки энергии ограничены пр...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Дата:2005
Автори: Фегер, А., Мамалуй, А.А., Дульфан, А.Я., Сыркин, Е.С., Шкорбатов, А.Г.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2005
Назва видання:Физика низких температур
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121722
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Цитувати:Низкотемпературный фононный транспорт в 3D-микроконтактах (Обзор) / А. Фегер, А.А. Мамалуй, А.Я. Дульфан, Е.С. Сыркин, А.Г. Шкорбатов // Физика низких температур. — 2005. — Т. 31, № 11. — С. 1211-1244. — Бібліогр.: 174 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:Обзор посвящен описанию неравновесных систем носителей, релаксационных и кинетических явлений в трехмерных микроконтактах. Основное внимание уделяется описанию фононной системы, которая существенно модифицируется в условиях баллистического транспорта. В таких системах потоки энергии ограничены присутствием слабосвязанных слоев примесных атомов, планарных дефектов или микроскопическими размерами контактов. Малые размеры микроконтактов, от нескольких нанометров до 1000 нм, позволяют исследовать низкотемпературный транспорт тепла и перенос заряда в масштабах, меньших, чем характерные длины неупругого рассеяния. Проанализирован механизм транспорта фононов при наличии поверхности раздела, рассмотрены различные модели планарного дефекта. Изучены особенности интерфейсного фононного транспорта, при котором коэффициенты переноса определяются не процессами рассеяния в объеме массивного кристалла, а свойствами межкристаллической границы. Детально рассмотрена квантовая фононная теплопроводность точечных контактов.