Низкотемпературный фононный транспорт в 3D-микроконтактах (Обзор)
Обзор посвящен описанию неравновесных систем носителей, релаксационных и кинетических явлений в трехмерных микроконтактах. Основное внимание уделяется описанию фононной системы, которая существенно модифицируется в условиях баллистического транспорта. В таких системах потоки энергии ограничены пр...
Збережено в:
Видавець: | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
---|---|
Дата: | 2005 |
Автори: | , , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2005
|
Назва видання: | Физика низких температур |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121722 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Цитувати: | Низкотемпературный фононный транспорт в 3D-микроконтактах (Обзор) / А. Фегер, А.А. Мамалуй, А.Я. Дульфан, Е.С. Сыркин, А.Г. Шкорбатов // Физика низких температур. — 2005. — Т. 31, № 11. — С. 1211-1244. — Бібліогр.: 174 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineРезюме: | Обзор посвящен описанию неравновесных систем носителей, релаксационных и кинетических
явлений в трехмерных микроконтактах. Основное внимание уделяется описанию фононной
системы, которая существенно модифицируется в условиях баллистического транспорта. В
таких системах потоки энергии ограничены присутствием слабосвязанных слоев примесных
атомов, планарных дефектов или микроскопическими размерами контактов. Малые размеры
микроконтактов, от нескольких нанометров до 1000 нм, позволяют исследовать низкотемпературный
транспорт тепла и перенос заряда в масштабах, меньших, чем характерные длины
неупругого рассеяния. Проанализирован механизм транспорта фононов при наличии поверхности
раздела, рассмотрены различные модели планарного дефекта. Изучены особенности интерфейсного
фононного транспорта, при котором коэффициенты переноса определяются не процессами
рассеяния в объеме массивного кристалла, а свойствами межкристаллической
границы. Детально рассмотрена квантовая фононная теплопроводность точечных контактов. |
---|