Низкотемпературный фононный транспорт в 3D-микроконтактах (Обзор)

Обзор посвящен описанию неравновесных систем носителей, релаксационных и кинетических явлений в трехмерных микроконтактах. Основное внимание уделяется описанию фононной системы, которая существенно модифицируется в условиях баллистического транспорта. В таких системах потоки энергии ограничены пр...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2005
Автори: Фегер, А., Мамалуй, А.А., Дульфан, А.Я., Сыркин, Е.С., Шкорбатов, А.Г.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2005
Назва видання:Физика низких температур
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121722
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Низкотемпературный фононный транспорт в 3D-микроконтактах (Обзор) / А. Фегер, А.А. Мамалуй, А.Я. Дульфан, Е.С. Сыркин, А.Г. Шкорбатов // Физика низких температур. — 2005. — Т. 31, № 11. — С. 1211-1244. — Бібліогр.: 174 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-121722
record_format dspace
spelling irk-123456789-1217222017-06-16T03:03:46Z Низкотемпературный фононный транспорт в 3D-микроконтактах (Обзор) Фегер, А. Мамалуй, А.А. Дульфан, А.Я. Сыркин, Е.С. Шкорбатов, А.Г. Обзоp Обзор посвящен описанию неравновесных систем носителей, релаксационных и кинетических явлений в трехмерных микроконтактах. Основное внимание уделяется описанию фононной системы, которая существенно модифицируется в условиях баллистического транспорта. В таких системах потоки энергии ограничены присутствием слабосвязанных слоев примесных атомов, планарных дефектов или микроскопическими размерами контактов. Малые размеры микроконтактов, от нескольких нанометров до 1000 нм, позволяют исследовать низкотемпературный транспорт тепла и перенос заряда в масштабах, меньших, чем характерные длины неупругого рассеяния. Проанализирован механизм транспорта фононов при наличии поверхности раздела, рассмотрены различные модели планарного дефекта. Изучены особенности интерфейсного фононного транспорта, при котором коэффициенты переноса определяются не процессами рассеяния в объеме массивного кристалла, а свойствами межкристаллической границы. Детально рассмотрена квантовая фононная теплопроводность точечных контактов. Огляд присвячено опису нерівноважних систем носіїв, релаксаційних і кінетичних явищ у тривимірних мікроконтактах. Основна увага приділяється опису фононної системи, що істотно модифікується в умовах балістичного транспорту. У таких системах потоки енергії обмежені присутністю слабкозв’язаних шарів домішкових атомів, планарних дефектів або мікроскоп ічними розмірами контактів. Малі розміри мікроконтактів, від декількох нанометрів до 1000 нм, дозволяють досліджувати низькотемпературний транспорт тепла і перенос заряду в масштабах, менших, ніж характерні довжини непружного розсіювання. Проаналізовано механ ізм транспорту фононів при наявності поверхні розділу, розглянуто різні моделі планарного дефекту. Вивчено особливості інтерфейсного фононного транспорту, при якому коефіцієнти переносу визначаються не процесами розсіювання в об’ємі масивного кристала, а властивостями межкристалічної границі. Детально розглянуто квантову фононну теплопровідність крапкових контактів. The physical mechanisms of quantum, relaxation and kinetic phenomena in 3D-point contacts (dielectric–dielectric and metal–dielectric) are reviewed. The emphasis on the description of phonon system that are modified substantially ballistic transport conditions. In such systems the energy flows are limited by the existing weak bounded layers of impurity atoms, planar defects or microscopic size contacts. Small sizes of point contacts (from several nm to 1000 nm) make it possible to investigate the low temperature heat transport and charge transfer in the scales smaller than the typical length of in elastic scattering and the wavelength of phonons. The phonon transport for crystal-crystal interface is analyzed and different modes of planar defects are considered. The peculiarities of the atomic dynamic of micro-crystals and the resonance properties of inter crystal boundary are studied. The quantum phonon heat conductivity of point contacts is considered in detail. 2005 Article Низкотемпературный фононный транспорт в 3D-микроконтактах (Обзор) / А. Фегер, А.А. Мамалуй, А.Я. Дульфан, Е.С. Сыркин, А.Г. Шкорбатов // Физика низких температур. — 2005. — Т. 31, № 11. — С. 1211-1244. — Бібліогр.: 174 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 63.20.–e, 68.65.+g http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121722 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Обзоp
Обзоp
spellingShingle Обзоp
Обзоp
Фегер, А.
Мамалуй, А.А.
Дульфан, А.Я.
Сыркин, Е.С.
Шкорбатов, А.Г.
Низкотемпературный фононный транспорт в 3D-микроконтактах (Обзор)
Физика низких температур
description Обзор посвящен описанию неравновесных систем носителей, релаксационных и кинетических явлений в трехмерных микроконтактах. Основное внимание уделяется описанию фононной системы, которая существенно модифицируется в условиях баллистического транспорта. В таких системах потоки энергии ограничены присутствием слабосвязанных слоев примесных атомов, планарных дефектов или микроскопическими размерами контактов. Малые размеры микроконтактов, от нескольких нанометров до 1000 нм, позволяют исследовать низкотемпературный транспорт тепла и перенос заряда в масштабах, меньших, чем характерные длины неупругого рассеяния. Проанализирован механизм транспорта фононов при наличии поверхности раздела, рассмотрены различные модели планарного дефекта. Изучены особенности интерфейсного фононного транспорта, при котором коэффициенты переноса определяются не процессами рассеяния в объеме массивного кристалла, а свойствами межкристаллической границы. Детально рассмотрена квантовая фононная теплопроводность точечных контактов.
format Article
author Фегер, А.
Мамалуй, А.А.
Дульфан, А.Я.
Сыркин, Е.С.
Шкорбатов, А.Г.
author_facet Фегер, А.
Мамалуй, А.А.
Дульфан, А.Я.
Сыркин, Е.С.
Шкорбатов, А.Г.
author_sort Фегер, А.
title Низкотемпературный фононный транспорт в 3D-микроконтактах (Обзор)
title_short Низкотемпературный фононный транспорт в 3D-микроконтактах (Обзор)
title_full Низкотемпературный фононный транспорт в 3D-микроконтактах (Обзор)
title_fullStr Низкотемпературный фононный транспорт в 3D-микроконтактах (Обзор)
title_full_unstemmed Низкотемпературный фононный транспорт в 3D-микроконтактах (Обзор)
title_sort низкотемпературный фононный транспорт в 3d-микроконтактах (обзор)
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
publishDate 2005
topic_facet Обзоp
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121722
citation_txt Низкотемпературный фононный транспорт в 3D-микроконтактах (Обзор) / А. Фегер, А.А. Мамалуй, А.Я. Дульфан, Е.С. Сыркин, А.Г. Шкорбатов // Физика низких температур. — 2005. — Т. 31, № 11. — С. 1211-1244. — Бібліогр.: 174 назв. — рос.
series Физика низких температур
work_keys_str_mv AT fegera nizkotemperaturnyjfononnyjtransportv3dmikrokontaktahobzor
AT mamalujaa nizkotemperaturnyjfononnyjtransportv3dmikrokontaktahobzor
AT dulʹfanaâ nizkotemperaturnyjfononnyjtransportv3dmikrokontaktahobzor
AT syrkines nizkotemperaturnyjfononnyjtransportv3dmikrokontaktahobzor
AT škorbatovag nizkotemperaturnyjfononnyjtransportv3dmikrokontaktahobzor
first_indexed 2023-10-18T20:40:09Z
last_indexed 2023-10-18T20:40:09Z
_version_ 1796150802440519680