Спин-орбитальное взаимодействие в пленках висмута малой толщины
Проанализированы магнитополевые зависимости сопротивления тонких пленок висмута толщиной 100–700 Å при низких температурах в рамках представлений о квантовых поправках к проводимости при слабой локализации электронов. Показано, что время спин-орбитального рассеяния τso существенно меньше времени...
Збережено в:
| Дата: | 2005 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2005
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121763 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Спин-орбитальное взаимодействие в пленках висмута малой толщины / Ю.Ф. Комник, И.Б. Беркутов, В.В. Андриевский // Физика низких температур. — 2005. — Т. 31, № 3-4. — С. 429-435. — Бібліогр.: 35 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Проанализированы магнитополевые зависимости сопротивления тонких пленок висмута
толщиной 100–700 Å при низких температурах в рамках представлений о квантовых поправках
к проводимости при слабой локализации электронов. Показано, что время спин-орбитального
рассеяния τso существенно меньше времени фазовой релаксации электронов τφ (случай сильного спин-орбитального взаимодействия). При этом обнаружена тенденция роста τso при увеличении
толщины пленки, что свидетельствует о доминирующей роли поверхностного рассеяния
электронов для спин-орбитальных процессов. По-видимому, при поверхностном рассеянии
сильная спиновая релаксация связана с градиентом внутреннего кристаллического потенциала
вблизи поверхности кристалла, приводящим к снятию вырождения спина и появлению спиновой
щели (механизм Рашбы). |
|---|