Влияние внутренних напряжений на сверхпроводимость нанокристаллических пленок ванадия
Исследованы нанокристаллические пленки ванадия толщиной 7–20 нм, полученные кристаллизацией аморфных конденсатов этого металла путем отогрева до температуры T < 60 К. Непосредственно после завершения кристаллизации критическая температура сверхпроводящего перехода Tc этих пленок составляет...
Збережено в:
| Дата: | 2005 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2005
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121768 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Влияние внутренних напряжений на сверхпроводимость нанокристаллических пленок ванадия / В.М. Кузьменко, Т.П. Черняева // Физика низких температур. — 2005. — Т. 31, № 2. — С. 148-154. — Бібліогр.: 28 назв. — рос |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Исследованы нанокристаллические пленки ванадия толщиной 7–20 нм, полученные кристаллизацией
аморфных конденсатов этого металла путем отогрева до температуры T < 60 К.
Непосредственно после завершения кристаллизации критическая температура сверхпроводящего
перехода Tc этих пленок составляет 3,1–4,3 К. В процессе отогрева пленок в сверхвысоком
вакууме до комнатной температуры значения Tc уменьшаются на ≈ 0,4 К. Показано, что это
понижение обусловлено, в частности, разрядкой растягивающих напряжений, возникших в
пленках при кристаллизации. |
|---|