Влияние внутренних напряжений на сверхпроводимость нанокристаллических пленок ванадия
Исследованы нанокристаллические пленки ванадия толщиной 7–20 нм, полученные кристаллизацией аморфных конденсатов этого металла путем отогрева до температуры T < 60 К. Непосредственно после завершения кристаллизации критическая температура сверхпроводящего перехода Tc этих пленок составляет...
Збережено в:
| Дата: | 2005 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2005
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121768 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Влияние внутренних напряжений на сверхпроводимость нанокристаллических пленок ванадия / В.М. Кузьменко, Т.П. Черняева // Физика низких температур. — 2005. — Т. 31, № 2. — С. 148-154. — Бібліогр.: 28 назв. — рос |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-121768 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1217682017-06-17T03:02:53Z Влияние внутренних напряжений на сверхпроводимость нанокристаллических пленок ванадия Кузьменко, В.М. Черняева, Т.П. Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная Исследованы нанокристаллические пленки ванадия толщиной 7–20 нм, полученные кристаллизацией аморфных конденсатов этого металла путем отогрева до температуры T < 60 К. Непосредственно после завершения кристаллизации критическая температура сверхпроводящего перехода Tc этих пленок составляет 3,1–4,3 К. В процессе отогрева пленок в сверхвысоком вакууме до комнатной температуры значения Tc уменьшаются на ≈ 0,4 К. Показано, что это понижение обусловлено, в частности, разрядкой растягивающих напряжений, возникших в пленках при кристаллизации. Досліджено нанокристалічні плівки ванадію товщиною 7–20 нм, що отримано кристалізацією аморфних конденсатів цього металу шляхом відігрівання до температури T < 60 К. Безпосередньо після завершення кристалізації критична температура надпровідного переходу Tc цих плівок складає 3,1–4,3 К. У процесі відігрівання плівок у надвисокому вакуумі до кімнатної температури значення Tc знижуються на ≈0,4 К. Показано, що це зменшення обумовлено, зокрема, розрядкою розтягаючих напруг, виниклих у плівках при кристалізації. The vanadium films 7–12 nm thick prepared by crystallizing the amorphous condensates of the metal on heating up to T < 60 K are investigated. Immediately after completion of the crystallization the superconducting transition critical temperature of the films are 3.1–4.3 K. During the heating up to room temperature in ultrahing vacuum Tc decreases by ≈ 0.4 K. The decrease is shown to be due, in particular, to relaxation of the tensile stresses occurred in the films under crystallization. 2005 Article Влияние внутренних напряжений на сверхпроводимость нанокристаллических пленок ванадия / В.М. Кузьменко, Т.П. Черняева // Физика низких температур. — 2005. — Т. 31, № 2. — С. 148-154. — Бібліогр.: 28 назв. — рос 0132-6414 PACS: 74.25.–q http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121768 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная |
| spellingShingle |
Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная Кузьменко, В.М. Черняева, Т.П. Влияние внутренних напряжений на сверхпроводимость нанокристаллических пленок ванадия Физика низких температур |
| description |
Исследованы нанокристаллические пленки ванадия толщиной 7–20 нм, полученные кристаллизацией
аморфных конденсатов этого металла путем отогрева до температуры T < 60 К.
Непосредственно после завершения кристаллизации критическая температура сверхпроводящего
перехода Tc этих пленок составляет 3,1–4,3 К. В процессе отогрева пленок в сверхвысоком
вакууме до комнатной температуры значения Tc уменьшаются на ≈ 0,4 К. Показано, что это
понижение обусловлено, в частности, разрядкой растягивающих напряжений, возникших в
пленках при кристаллизации. |
| format |
Article |
| author |
Кузьменко, В.М. Черняева, Т.П. |
| author_facet |
Кузьменко, В.М. Черняева, Т.П. |
| author_sort |
Кузьменко, В.М. |
| title |
Влияние внутренних напряжений на сверхпроводимость нанокристаллических пленок ванадия |
| title_short |
Влияние внутренних напряжений на сверхпроводимость нанокристаллических пленок ванадия |
| title_full |
Влияние внутренних напряжений на сверхпроводимость нанокристаллических пленок ванадия |
| title_fullStr |
Влияние внутренних напряжений на сверхпроводимость нанокристаллических пленок ванадия |
| title_full_unstemmed |
Влияние внутренних напряжений на сверхпроводимость нанокристаллических пленок ванадия |
| title_sort |
влияние внутренних напряжений на сверхпроводимость нанокристаллических пленок ванадия |
| publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| publishDate |
2005 |
| topic_facet |
Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121768 |
| citation_txt |
Влияние внутренних напряжений на сверхпроводимость нанокристаллических пленок ванадия / В.М. Кузьменко, Т.П. Черняева // Физика низких температур. — 2005. — Т. 31, № 2. — С. 148-154. — Бібліогр.: 28 назв. — рос |
| series |
Физика низких температур |
| work_keys_str_mv |
AT kuzʹmenkovm vliânievnutrennihnaprâženijnasverhprovodimostʹnanokristalličeskihplenokvanadiâ AT černâevatp vliânievnutrennihnaprâženijnasverhprovodimostʹnanokristalličeskihplenokvanadiâ |
| first_indexed |
2023-10-18T20:40:16Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:40:16Z |
| _version_ |
1796150807353098240 |