Radiation-stimulated processes in silicon structures with contacts based on TiN
The influence of irradiation on the structural properties of titanium nitride films deposited on silicon wafers has been considered. It has been shown that depending on the energy, fluence and type of irradiation ion, observed are the increase of accumulated damages with decreasing the grain size, t...
Збережено в:
| Видавець: | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2015 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2015
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121819 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Radiation-stimulated processes in silicon structureswith contacts based on TiN / M.U. Nasyrov, A.B. Ataubaeva // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2015. — Т. 18, № 2. — С. 220-225. — Бібліогр.: 25 назв. — англ. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | The influence of irradiation on the structural properties of titanium nitride films deposited on silicon wafers has been considered. It has been shown that depending on the energy, fluence and type of irradiation ion, observed are the increase of accumulated damages with decreasing the grain size, the grain size reduction with increasing the fluence, the increase of dislocation density and microstrains. |
|---|