Growing the high-resistive Cd₁₋xZnxTe single crystals from a vapor phase

A modified vapor phase growth method to obtain high-resistive Cd1-xZnxTe single crystals (0 < x < 0.13) is presented. The single crystals (about 25 cm⁻³ in size) with natural faceting were grown by vapor transport in silica ampoules with a special shape using a polycrystalline ingot as i...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2005
Автори: Feychuk, P., Kopyl, O., Pavlovich, I., Shcherbak, L.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2005
Назва видання:Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121862
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Growing the high-resistive Cd₁₋xZnxTe single crystals from a vapor phase / P. Feychuk, O. Kopyl, I. Pavlovich, L. Shcherbak // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2005. — Т. 8, № 1. — С. 110-113. — Бібліогр.: 15 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси