Трехмерный топологический изолятор на основе напряженной пленки HgTe
Исследован электронный и дырочный транспорт в трехмерном топологическом изоляторе на основе высокоподвижной (до 4⋅10⁵ см² /В⋅с) напряженной пленки теллурида ртути толщиной 80 нм. Вследствие наличия затвора положение уровня Ферми перемещается из валентной зоны в зону проводимости, минуя объемную щель...
Збережено в:
| Дата: | 2015 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2015
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122028 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Трехмерный топологический изолятор на основе напряженной пленки HgTe / Д.А. Козлов, З.Д. Квон, М.Л. Савченко, D. Weiss, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий // Физика низких температур. — 2015. — Т. 41, № 2. — С. 109-118. — Бібліогр.: 27 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Исследован электронный и дырочный транспорт в трехмерном топологическом изоляторе на основе высокоподвижной (до 4⋅10⁵ см² /В⋅с) напряженной пленки теллурида ртути толщиной 80 нм. Вследствие наличия затвора положение уровня Ферми перемещается из валентной зоны в зону проводимости, минуя объемную щель. Наблюдаемые особенности в классическом и квантовом транспорте позволили различить вклад в проводимость объемных дырок, объемных электронов, а также дираковских электронов на поверхностях пленки. |
|---|