Влияние давления на параметры сверхпроводящего перехода в полупроводниковых твердых растворах PbzSn₁₋zTe, легированных In
Изучено влияние всестороннего сжатия до 10 кбар на сверхпроводящие и электрические характеристики полупроводникового твердого раствора PbzSn₁₋zTe, легированного индием (5 ат.%), в зависимости от содержания свинца. Экспериментально установлены корреляции для исследованных барических зависимостей. Обн...
Збережено в:
| Видавець: | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2015 |
| Автори: | , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2015
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122032 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Влияние давления на параметры сверхпроводящего перехода в полупроводниковых твердых растворах PbzSn₁₋zTe, легированных In / Р.В. Парфеньев, В.И. Козуб, Г.О. Андрианов, Д.В. Шамшур, А.В. Черняев, Н.Ю. Михайлин, С.А. Немов // Физика низких температур. — 2015. — Т. 41, № 2. — С. 147-152. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-122032 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
XX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников XX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников |
| spellingShingle |
XX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников XX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников Парфеньев, Р.В. Козуб, В.И. Андрианов, Г.О. Шамшур, Д.В. Черняев, А.В. Михайлин, Н.Ю. Немов, С.А. Влияние давления на параметры сверхпроводящего перехода в полупроводниковых твердых растворах PbzSn₁₋zTe, легированных In Физика низких температур |
| description |
Изучено влияние всестороннего сжатия до 10 кбар на сверхпроводящие и электрические характеристики полупроводникового твердого раствора PbzSn₁₋zTe, легированного индием (5 ат.%), в зависимости от содержания свинца. Экспериментально установлены корреляции для исследованных барических зависимостей. Обнаружено, что в материале с содержанием свинца z = 0,45 при увеличении давления до Р = = 6,8 кбар происходит пороговое усиление сверхпроводимости до значения Тс = 1,7 К, характерного для состава z = 0,05 при атмосферном давлении. Возрастание гидростатического давления Р > 3 кбар в (Pb₀,₀₅Sn₀,9₅)₀,₉₅In₀,₀₅Te приводит к понижению Тс ниже 1 К. Указанные особенности, вместе с колоколообразной зависимостью Тс(Р) для состава z = 0,3, объясняются энергетическим смещением полосы квазилокальных состояний ЕIn и уровня Ферми, стабилизированного ими, из L- в Σ-валентную зону с большой плотностью состояний, как это наиболее ярко проявилось для состава z = 0,45. На основании измерений эффекта Холла при Т = 77 К определен концентрационный порог выхода уровня Ферми из Σ-валентной зоны при увеличении содержания свинца |
| format |
Article |
| author |
Парфеньев, Р.В. Козуб, В.И. Андрианов, Г.О. Шамшур, Д.В. Черняев, А.В. Михайлин, Н.Ю. Немов, С.А. |
| author_facet |
Парфеньев, Р.В. Козуб, В.И. Андрианов, Г.О. Шамшур, Д.В. Черняев, А.В. Михайлин, Н.Ю. Немов, С.А. |
| author_sort |
Парфеньев, Р.В. |
| title |
Влияние давления на параметры сверхпроводящего перехода в полупроводниковых твердых растворах PbzSn₁₋zTe, легированных In |
| title_short |
Влияние давления на параметры сверхпроводящего перехода в полупроводниковых твердых растворах PbzSn₁₋zTe, легированных In |
| title_full |
Влияние давления на параметры сверхпроводящего перехода в полупроводниковых твердых растворах PbzSn₁₋zTe, легированных In |
| title_fullStr |
Влияние давления на параметры сверхпроводящего перехода в полупроводниковых твердых растворах PbzSn₁₋zTe, легированных In |
| title_full_unstemmed |
Влияние давления на параметры сверхпроводящего перехода в полупроводниковых твердых растворах PbzSn₁₋zTe, легированных In |
| title_sort |
влияние давления на параметры сверхпроводящего перехода в полупроводниковых твердых растворах pbzsn₁₋zte, легированных in |
| publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| publishDate |
2015 |
| topic_facet |
XX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122032 |
| citation_txt |
Влияние давления на параметры сверхпроводящего перехода в полупроводниковых твердых растворах PbzSn₁₋zTe, легированных In / Р.В. Парфеньев, В.И. Козуб, Г.О. Андрианов, Д.В. Шамшур, А.В. Черняев, Н.Ю. Михайлин, С.А. Немов // Физика низких температур. — 2015. — Т. 41, № 2. — С. 147-152. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |
| series |
Физика низких температур |
| work_keys_str_mv |
AT parfenʹevrv vliâniedavleniânaparametrysverhprovodâŝegoperehodavpoluprovodnikovyhtverdyhrastvorahpbzsn1ztelegirovannyhin AT kozubvi vliâniedavleniânaparametrysverhprovodâŝegoperehodavpoluprovodnikovyhtverdyhrastvorahpbzsn1ztelegirovannyhin AT andrianovgo vliâniedavleniânaparametrysverhprovodâŝegoperehodavpoluprovodnikovyhtverdyhrastvorahpbzsn1ztelegirovannyhin AT šamšurdv vliâniedavleniânaparametrysverhprovodâŝegoperehodavpoluprovodnikovyhtverdyhrastvorahpbzsn1ztelegirovannyhin AT černâevav vliâniedavleniânaparametrysverhprovodâŝegoperehodavpoluprovodnikovyhtverdyhrastvorahpbzsn1ztelegirovannyhin AT mihajlinnû vliâniedavleniânaparametrysverhprovodâŝegoperehodavpoluprovodnikovyhtverdyhrastvorahpbzsn1ztelegirovannyhin AT nemovsa vliâniedavleniânaparametrysverhprovodâŝegoperehodavpoluprovodnikovyhtverdyhrastvorahpbzsn1ztelegirovannyhin |
| first_indexed |
2023-10-18T20:40:55Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:40:55Z |
| _version_ |
1796150834738757632 |
| spelling |
irk-123456789-1220322017-06-27T03:03:29Z Влияние давления на параметры сверхпроводящего перехода в полупроводниковых твердых растворах PbzSn₁₋zTe, легированных In Парфеньев, Р.В. Козуб, В.И. Андрианов, Г.О. Шамшур, Д.В. Черняев, А.В. Михайлин, Н.Ю. Немов, С.А. XX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников Изучено влияние всестороннего сжатия до 10 кбар на сверхпроводящие и электрические характеристики полупроводникового твердого раствора PbzSn₁₋zTe, легированного индием (5 ат.%), в зависимости от содержания свинца. Экспериментально установлены корреляции для исследованных барических зависимостей. Обнаружено, что в материале с содержанием свинца z = 0,45 при увеличении давления до Р = = 6,8 кбар происходит пороговое усиление сверхпроводимости до значения Тс = 1,7 К, характерного для состава z = 0,05 при атмосферном давлении. Возрастание гидростатического давления Р > 3 кбар в (Pb₀,₀₅Sn₀,9₅)₀,₉₅In₀,₀₅Te приводит к понижению Тс ниже 1 К. Указанные особенности, вместе с колоколообразной зависимостью Тс(Р) для состава z = 0,3, объясняются энергетическим смещением полосы квазилокальных состояний ЕIn и уровня Ферми, стабилизированного ими, из L- в Σ-валентную зону с большой плотностью состояний, как это наиболее ярко проявилось для состава z = 0,45. На основании измерений эффекта Холла при Т = 77 К определен концентрационный порог выхода уровня Ферми из Σ-валентной зоны при увеличении содержания свинца Вивчено вплив усебічного стискування до 10 кбар на надпровідні та електричні характеристики напівпровідникового твердого розчину PbzSn₁₋zTe, легованого індієм (5 ат.%), залежно від змісту свинцю. Експериментально встановлено кореляції для досліджених баричних залежностей. Виявлено, що в матеріалі зі змістом свинцю z = 0,45 при збільшенні тиску до Р = 6,8 кбар відбувається порогове посилення надпровідності до значення Тс = 1,7 К, характерного для складу z = 0,05 при атмосферному тиску. Зростання гідростатичного тиску Р > 3 кбар в (Pb₀,₀₅Sn₀,9₅)₀,₉₅In₀,₀₅Te призводить до зниження Тс нижче 1 К. Вказані особливості, разом з дзвоноподібною залежністю Тс(Р) для складу z = 0,3, пояснюються енергетичним зміщенням смуги квазілокальних станів ЕIn та рівня Фермі, стабілізованого ними, з L- у Σ-валентну зону з великою щільністю станів, як це найяскравіше проявилося для складу z = 0,45. На підставі вимірів ефекту Холлу при Т = 77 К визначено концентраційний поріг виходу рівня Фермі з Σ-валентної зони при збільшенні змісту свинцю. The influences of comprehensive compression up to 10 kbar and lead content on superconducting and electrical characteristics of semiconducting solid solutions PbzSn₁₋zTe doped with indium (5 at.%) are studied. Experimental correlations for the pressure dependences under consideration are found out. It is established that at high pressure condition (P = 6.8 kbar) the material with content of lead z = 0.45 displays a threshold increase of superconductivity up to Тс = 1.7 K, which is typical of the z = 0.05 compound at normal pressure. An increase of hydrostatic pressure P > 3 kbar in (Pb₀,₀₅Sn₀,9₅)₀,₉₅In₀,₀₅Te leads to a decrease of Тс below 1 K. The observed features and the bell-shaped dependence Тс(P) for the z = 0.3 compound are explained by the energy shifting of the band of quasilocal states ЕIn and the state stabilized Fermi energy from the L-valence band into the Σ-valence one with a high density of states as was most noticeable for the z = 0.45 compound. A concentration threshold for the Fermi energy leaving the Σ-valence band with increasing content of lead was determined from the Hall effect data at T = 77 K. 2015 Article Влияние давления на параметры сверхпроводящего перехода в полупроводниковых твердых растворах PbzSn₁₋zTe, легированных In / Р.В. Парфеньев, В.И. Козуб, Г.О. Андрианов, Д.В. Шамшур, А.В. Черняев, Н.Ю. Михайлин, С.А. Немов // Физика низких температур. — 2015. — Т. 41, № 2. — С. 147-152. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 71.20.Nr, 71.28.+d, 71.30.+h, 71.55.–i, 74.62.Dh, 74.62.Fj http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122032 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |