Кинетика изменения концентрации носителей заряда при легировании в сплавах на основе теллурида свинца с примесями переходных металлов

• Дата: 2015
• Автори: Скипетров, Е.П., Кнотько, А.В., Слынько, Е.И., Слынько, В.Е.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2015
• Назва видання: Физика низких температур
• Теми: XX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122036
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Кинетика изменения концентрации носителей заряда при легировании в сплавах на основе теллурида свинца с примесями переходных металлов / Е.П. Скипетров, А.В. Кнотько, Е.И. Слынько, В.Е. Слынько // Физика низких температур. — 2015. — Т. 41, № 2. — С. 185-195. — Бібліогр.: 40 назв. — рос.

Исследованы кристаллическая структура, фазовый и элементный состав и гальваномагнитные свойства сплавов на основе теллурида свинца с примесями переходных металлов (Sc, Ti, Cr, V и Fe), синтезированных методом Бриджмена. Определено распределение компонентов твердых растворов по длине монокристаллических слитков. Показано, что увеличение содержания примеси приводит к появлению областей с повышенным содержанием примеси и микроскопических включений соединений, близких по составу к известным соединениям атомов примеси с теллуром. Обнаружены p–n-инверсия типа проводимости, переходы металл–диэлектрик и диэлектрик–металл и пиннинг уровня Ферми глубокими примесными уровнями при легировании. Сопоставляется кинетика изменения концентрации свободных носителей заряда и энергии Ферми при легировании при вариации состава матрицы и типа примеси. Предложена общая модель перестройки электронной структуры исследованных сплавов при легировании.