Металлический катодный контакт к диодам Ганна на основе некоторых перспективных соединений полупроводников А₃В₅

Металлический катодный контакт к диодам Ганна на основе некоторых перспективных соединений полупроводников А₃В₅

С помощью двухтемпературной модели междолинного переноса электронов теоретически исследованы энергетические и частотные характеристики диодов Ганна на основе InрGa1–рAs (с докритическим уровнем легирования активной области в режиме однородного поля) и на основе InP1–рAsр (в пролетном режиме c запорн...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2002
Автор: Аркуша, Ю.В.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Радіоастрономічний інститут НАН України 2002
Назва видання:Радиофизика и радиоастрономия
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122317
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Металлический катодный контакт к диодам Ганна на основе некоторых перспективных соединений полупроводников А₃В₅ / Ю.В. Аркуша // Радиофизика и радиоастрономия. — 2002. — Т. 7, № 2. — С. 194-200. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-122317
record_format dspace
spelling irk-123456789-1223172017-07-03T03:02:59Z Металлический катодный контакт к диодам Ганна на основе некоторых перспективных соединений полупроводников А₃В₅ Аркуша, Ю.В. С помощью двухтемпературной модели междолинного переноса электронов теоретически исследованы энергетические и частотные характеристики диодов Ганна на основе InрGa1–рAs (с докритическим уровнем легирования активной области в режиме однородного поля) и на основе InP1–рAsр (в пролетном режиме c запорным металлическим катодным контактом). Показано, что диоды Ганна на основе InрGa1–рAs в режиме однородного поля имеют отрицательную дифференциальную проводимость в широком диапазоне частот (до 200 ГГц), а диоды Ганна на основе InP1–рAsр являются перспективными по своим энергетическим и частотным характеристикам. За допомогою двотемпературної моделі міждолинного переносу електронів теоретично досліджені енергетичні та частотні характеристики діодів Ганна на основі InрGa1–рAs (з докритичним рівнем легування активної області у режимі однорідного поля) і на основі InP1–рAsр у пролітному режимі із запірним металевим катодним контактом. Показано, що діоди Ганна на основі InрGa1–рAs у режимі однорідного поля мають негативну диференціальну провідність у широкому діапазоні частот, а діоди Ганна на основі InP1–рAsр є перспективними за своїми енергетичними та частотними характеристиками. Theoretically with the use of two-temperature model the power and frequency characteristics of Gunn diodes on a basis of InpGa1-pAs with subcritical doping level of active area in a homogeneous field regime, and InP1-pAsp Gunn diodes in transit time regime are investigated. It is shown that the Gunn diodes on a basis of InpGa1-pAs in a homogeneous field regime have negative differential conductivity in a wide frequency range (up to 200 GHz), and the InP1-pAsp Gunn diodes have more promising power and frequency characteristics. 2002 Article Металлический катодный контакт к диодам Ганна на основе некоторых перспективных соединений полупроводников А₃В₅ / Ю.В. Аркуша // Радиофизика и радиоастрономия. — 2002. — Т. 7, № 2. — С. 194-200. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 1027-9636 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122317 621.382.2 ru Радиофизика и радиоастрономия Радіоастрономічний інститут НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
description С помощью двухтемпературной модели междолинного переноса электронов теоретически исследованы энергетические и частотные характеристики диодов Ганна на основе InрGa1–рAs (с докритическим уровнем легирования активной области в режиме однородного поля) и на основе InP1–рAsр (в пролетном режиме c запорным металлическим катодным контактом). Показано, что диоды Ганна на основе InрGa1–рAs в режиме однородного поля имеют отрицательную дифференциальную проводимость в широком диапазоне частот (до 200 ГГц), а диоды Ганна на основе InP1–рAsр являются перспективными по своим энергетическим и частотным характеристикам.
format Article
author Аркуша, Ю.В.
spellingShingle Аркуша, Ю.В.
Металлический катодный контакт к диодам Ганна на основе некоторых перспективных соединений полупроводников А₃В₅
Радиофизика и радиоастрономия
author_facet Аркуша, Ю.В.
author_sort Аркуша, Ю.В.
title Металлический катодный контакт к диодам Ганна на основе некоторых перспективных соединений полупроводников А₃В₅
title_short Металлический катодный контакт к диодам Ганна на основе некоторых перспективных соединений полупроводников А₃В₅
title_full Металлический катодный контакт к диодам Ганна на основе некоторых перспективных соединений полупроводников А₃В₅
title_fullStr Металлический катодный контакт к диодам Ганна на основе некоторых перспективных соединений полупроводников А₃В₅
title_full_unstemmed Металлический катодный контакт к диодам Ганна на основе некоторых перспективных соединений полупроводников А₃В₅
title_sort металлический катодный контакт к диодам ганна на основе некоторых перспективных соединений полупроводников а₃в₅
publisher Радіоастрономічний інститут НАН України
publishDate 2002
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122317
citation_txt Металлический катодный контакт к диодам Ганна на основе некоторых перспективных соединений полупроводников А₃В₅ / Ю.В. Аркуша // Радиофизика и радиоастрономия. — 2002. — Т. 7, № 2. — С. 194-200. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.
series Радиофизика и радиоастрономия
work_keys_str_mv AT arkušaûv metalličeskijkatodnyjkontaktkdiodamgannanaosnovenekotoryhperspektivnyhsoedinenijpoluprovodnikova3v5
first_indexed 2023-10-18T20:41:33Z
last_indexed 2023-10-18T20:41:33Z
_version_ 1796150862004879360

Схожі ресурси