Металлический катодный контакт к диодам Ганна на основе некоторых перспективных соединений полупроводников А₃В₅
С помощью двухтемпературной модели междолинного переноса электронов теоретически исследованы энергетические и частотные характеристики диодов Ганна на основе InрGa1–рAs (с докритическим уровнем легирования активной области в режиме однородного поля) и на основе InP1–рAsр (в пролетном режиме c запорн...
Збережено в:
Дата: | 2002 |
---|---|
Автор: | Аркуша, Ю.В. |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Радіоастрономічний інститут НАН України
2002
|
Назва видання: | Радиофизика и радиоастрономия |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122317 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Металлический катодный контакт к диодам Ганна на основе некоторых перспективных соединений полупроводников А₃В₅ / Ю.В. Аркуша // Радиофизика и радиоастрономия. — 2002. — Т. 7, № 2. — С. 194-200. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2014) -
Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2011) -
О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2011) -
Диод Ганна с индуцированным каналом в активной области
за авторством: Аркуша, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2002) -
Исследование сварных соединений в перспективных поглощающих элементах энергетических реакторов
за авторством: Белаш, Н.Н., та інші
Опубліковано: (2009)