2025-02-24T01:02:00-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-122317%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-24T01:02:00-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-122317%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-24T01:02:00-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-24T01:02:00-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Металлический катодный контакт к диодам Ганна на основе некоторых перспективных соединений полупроводников А₃В₅
С помощью двухтемпературной модели междолинного переноса электронов теоретически исследованы энергетические и частотные характеристики диодов Ганна на основе InрGa1–рAs (с докритическим уровнем легирования активной области в режиме однородного поля) и на основе InP1–рAsр (в пролетном режиме c запорн...
Saved in:
Main Author: | Аркуша, Ю.В. |
---|---|
Format: | Article |
Language: | Russian |
Published: |
Радіоастрономічний інститут НАН України
2002
|
Series: | Радиофизика и радиоастрономия |
Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122317 |
Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Similar Items
2025-02-24T01:02:00-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&rows=40&rows=5&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-122317%22&qt=morelikethis
2025-02-24T01:02:00-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&rows=40&rows=5&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-122317%22&qt=morelikethis
2025-02-24T01:02:00-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-24T01:02:00-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Similar Items
-
Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN
by: Стороженко, И.П., et al.
Published: (2014) -
Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN
by: Стороженко, И.П., et al.
Published: (2011) -
О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs
by: Стороженко, И.П., et al.
Published: (2011) -
Диод Ганна с индуцированным каналом в активной области
by: Аркуша, Ю.В., et al.
Published: (2002) -
Исследование сварных соединений в перспективных поглощающих элементах энергетических реакторов
by: Белаш, Н.Н., et al.
Published: (2009)