2025-02-21T09:09:34-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-122325%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-21T09:09:34-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-122325%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-21T09:09:34-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-21T09:09:34-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response

Особенности согласования полевых транзисторных структур на минимум шум-фактора в дециметровом диапазоне

В настоящей работе предлагается методика расчета шумовых характеристик усилителей на полевых транзисторах с барьером Шоттки, включая HEMT-структуры. Основой методики является использование обобщенных характеристик транзисторной структуры, названных макропараметрами. Они инвариантны относительно разм...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Author: Королев, А.М.
Format: Article
Language:Russian
Published: Радіоастрономічний інститут НАН України 2002
Series:Радиофизика и радиоастрономия
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122325
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Description
Summary:В настоящей работе предлагается методика расчета шумовых характеристик усилителей на полевых транзисторах с барьером Шоттки, включая HEMT-структуры. Основой методики является использование обобщенных характеристик транзисторной структуры, названных макропараметрами. Они инвариантны относительно размерного масштабирования, слабо зависят от режима по постоянному току и могут измеряться низкочастотной аппаратурой. Единственный феноменологический параметр (F) вводится как характеристика крупного структурно-технологического класса FET (F ≈ 0.4 для MESFET, F ≈ 0.6 для HEMT, F ≈ 0.7 для PHEMT). На основе метода макропараметров для узкозатворных транзисторных структур в дециметровом диапазоне определены критерии реализуемости режима согласования на минимум шум-фактора с учетом свойств входного индуктивного элемента как отрезка специфической линии передачи.