Особенности согласования полевых транзисторных структур на минимум шум-фактора в дециметровом диапазоне

• Дата: 2002
• Автор: Королев, А.М.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Радіоастрономічний інститут НАН України 2002
• Назва видання: Радиофизика и радиоастрономия
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122325
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Особенности согласования полевых транзисторных структур на минимум шум-фактора в дециметровом диапазоне / А.М. Королев // Радиофизика и радиоастрономия. — 2002. — Т. 7, № 3. — С. 273-288. — Бібліогр.: 23 назв. — рос.

В настоящей работе предлагается методика расчета шумовых характеристик усилителей на полевых транзисторах с барьером Шоттки, включая HEMT-структуры. Основой методики является использование обобщенных характеристик транзисторной структуры, названных макропараметрами. Они инвариантны относительно размерного масштабирования, слабо зависят от режима по постоянному току и могут измеряться низкочастотной аппаратурой. Единственный феноменологический параметр (F) вводится как характеристика крупного структурно-технологического класса FET (F ≈ 0.4 для MESFET, F ≈ 0.6 для HEMT, F ≈ 0.7 для PHEMT). На основе метода макропараметров для узкозатворных транзисторных структур в дециметровом диапазоне определены критерии реализуемости режима согласования на минимум шум-фактора с учетом свойств входного индуктивного элемента как отрезка специфической линии передачи.