Особенности согласования полевых транзисторных структур на минимум шум-фактора в дециметровом диапазоне

Особенности согласования полевых транзисторных структур на минимум шум-фактора в дециметровом диапазоне

В настоящей работе предлагается методика расчета шумовых характеристик усилителей на полевых транзисторах с барьером Шоттки, включая HEMT-структуры. Основой методики является использование обобщенных характеристик транзисторной структуры, названных макропараметрами. Они инвариантны относительно разм...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2002
Автор: Королев, А.М.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Радіоастрономічний інститут НАН України 2002
Назва видання:Радиофизика и радиоастрономия
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122325
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Особенности согласования полевых транзисторных структур на минимум шум-фактора в дециметровом диапазоне / А.М. Королев // Радиофизика и радиоастрономия. — 2002. — Т. 7, № 3. — С. 273-288. — Бібліогр.: 23 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-122325
record_format dspace
spelling irk-123456789-1223252017-07-03T03:03:15Z Особенности согласования полевых транзисторных структур на минимум шум-фактора в дециметровом диапазоне Королев, А.М. В настоящей работе предлагается методика расчета шумовых характеристик усилителей на полевых транзисторах с барьером Шоттки, включая HEMT-структуры. Основой методики является использование обобщенных характеристик транзисторной структуры, названных макропараметрами. Они инвариантны относительно размерного масштабирования, слабо зависят от режима по постоянному току и могут измеряться низкочастотной аппаратурой. Единственный феноменологический параметр (F) вводится как характеристика крупного структурно-технологического класса FET (F ≈ 0.4 для MESFET, F ≈ 0.6 для HEMT, F ≈ 0.7 для PHEMT). На основе метода макропараметров для узкозатворных транзисторных структур в дециметровом диапазоне определены критерии реализуемости режима согласования на минимум шум-фактора с учетом свойств входного индуктивного элемента как отрезка специфической линии передачи. У цій роботі пропонується методика розрахунку шумових характеристик підсилювачів на польових транзисторах з бар’єром Шоттки, включаючи HEMT-структури. Базою методики є використання узагальнених характеристик транзисторної структури, названих мікропараметрами. Вони інваріантні відносно розмірного масштабування, слабо залежать від режиму по постійному струму і можуть вимірюватись низькочастотною апаратурою. Єдиний феноменологічний параметр (F) вводиться як характеристика крупного структурно-технологічного класу FET (F ≈ 0.4 для MESFET, F ≈ 0.6 для HEMT, F ≈ 0.7 для PHEMT). На базі методу макропараметрів для вузькозатворних транзисторних структур в дециметровому діапазоні визначені критерії можливості реалізації режиму узгодження на мінімум шум-фактора, зважаючи на властивості індуктивного елемента як відрізка специфічної лінії передачі. Novel method for deriving the noise characteristics of FET (including HEMT) amplifier is presented. It is based on generalized FET characteristics, denoted as macroparameters. They are invariant to scaling, measurable by rf-instruments and have only a weak dependence on dc-conditions. The sole phenomenological parameter (F) is introduced as characteristics of a large structural class of FETs (F ≈ 0.4 for MESFET, F ≈ 0.6 for HEMT and F ≈ 0.7 for PHEMT). Based on the "macroparameter approach" and taking into account the properties of input inductor as a distinctive transmission line, the conditions for minimum noise temperature realization are determined for moderately-long-gate transistors over the frequency range from 0.3 to 5 GHz. 2002 Article Особенности согласования полевых транзисторных структур на минимум шум-фактора в дециметровом диапазоне / А.М. Королев // Радиофизика и радиоастрономия. — 2002. — Т. 7, № 3. — С. 273-288. — Бібліогр.: 23 назв. — рос. 1027-9636 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122325 621.375.029 ru Радиофизика и радиоастрономия Радіоастрономічний інститут НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
description В настоящей работе предлагается методика расчета шумовых характеристик усилителей на полевых транзисторах с барьером Шоттки, включая HEMT-структуры. Основой методики является использование обобщенных характеристик транзисторной структуры, названных макропараметрами. Они инвариантны относительно размерного масштабирования, слабо зависят от режима по постоянному току и могут измеряться низкочастотной аппаратурой. Единственный феноменологический параметр (F) вводится как характеристика крупного структурно-технологического класса FET (F ≈ 0.4 для MESFET, F ≈ 0.6 для HEMT, F ≈ 0.7 для PHEMT). На основе метода макропараметров для узкозатворных транзисторных структур в дециметровом диапазоне определены критерии реализуемости режима согласования на минимум шум-фактора с учетом свойств входного индуктивного элемента как отрезка специфической линии передачи.
format Article
author Королев, А.М.
spellingShingle Королев, А.М.
Особенности согласования полевых транзисторных структур на минимум шум-фактора в дециметровом диапазоне
Радиофизика и радиоастрономия
author_facet Королев, А.М.
author_sort Королев, А.М.
title Особенности согласования полевых транзисторных структур на минимум шум-фактора в дециметровом диапазоне
title_short Особенности согласования полевых транзисторных структур на минимум шум-фактора в дециметровом диапазоне
title_full Особенности согласования полевых транзисторных структур на минимум шум-фактора в дециметровом диапазоне
title_fullStr Особенности согласования полевых транзисторных структур на минимум шум-фактора в дециметровом диапазоне
title_full_unstemmed Особенности согласования полевых транзисторных структур на минимум шум-фактора в дециметровом диапазоне
title_sort особенности согласования полевых транзисторных структур на минимум шум-фактора в дециметровом диапазоне
publisher Радіоастрономічний інститут НАН України
publishDate 2002
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122325
citation_txt Особенности согласования полевых транзисторных структур на минимум шум-фактора в дециметровом диапазоне / А.М. Королев // Радиофизика и радиоастрономия. — 2002. — Т. 7, № 3. — С. 273-288. — Бібліогр.: 23 назв. — рос.
series Радиофизика и радиоастрономия
work_keys_str_mv AT korolevam osobennostisoglasovaniâpolevyhtranzistornyhstrukturnaminimumšumfaktoravdecimetrovomdiapazone
first_indexed 2023-10-18T20:41:34Z
last_indexed 2023-10-18T20:41:34Z
_version_ 1796150862853177344

Схожі ресурси