2025-02-23T04:10:32-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-122553%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T04:10:32-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-122553%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T04:10:32-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T04:10:32-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна

Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна

Рассчитана частотная зависимость эффективности генерации m-n:InxGa1-xAs-n:GaAs-n+:GaAs-диодов Ганна с длиной активной области 2.5 мкм. Определены оптимальные значения длины n:InxGa1-xAs-катода, концентрации ионизированных примесей в нем и высоты потенциального барьера на металлическом контакте, при...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Аркуша, Ю.В., Прохоров, Э.Д., Стороженко, И.П.
Format: Article
Language:Russian
Published: Радіоастрономічний інститут НАН України 2004
Series:Радиофизика и радиоастрономия
Subjects:
Физические основы электронных приборов
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122553
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
id irk-123456789-122553
record_format dspace
spelling irk-123456789-1225532017-07-15T03:03:28Z Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна Аркуша, Ю.В. Прохоров, Э.Д. Стороженко, И.П. Физические основы электронных приборов Рассчитана частотная зависимость эффективности генерации m-n:InxGa1-xAs-n:GaAs-n+:GaAs-диодов Ганна с длиной активной области 2.5 мкм. Определены оптимальные значения длины n:InxGa1-xAs-катода, концентрации ионизированных примесей в нем и высоты потенциального барьера на металлическом контакте, при которых эффективность генерации максимальна. The frequency dependence of the generation efficiency of an m-n:InxGa1-xAs-n:GaAs-n+:GaAs TED with the 2.5-mm long active region is calculated. The optimum values – which yield the diode maximum generation efficiency – for the n:InxGa1-xAs cathode length, the cathode concentration of ionized impurities, and the height of the potential barrier on metal contact are determined. 2004 Article Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна / Ю.В. Аркуша, Э.Д. Прохоров, И.П. Стороженко // Радиофизика и радиоастрономия. — 2004. — Т. 9, № 3. — С. 331-336. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 1027-9636 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122553 621.382.2 ru Радиофизика и радиоастрономия Радіоастрономічний інститут НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Физические основы электронных приборов
Физические основы электронных приборов
spellingShingle Физические основы электронных приборов
Физические основы электронных приборов
Аркуша, Ю.В.
Прохоров, Э.Д.
Стороженко, И.П.
Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна
Радиофизика и радиоастрономия
description Рассчитана частотная зависимость эффективности генерации m-n:InxGa1-xAs-n:GaAs-n+:GaAs-диодов Ганна с длиной активной области 2.5 мкм. Определены оптимальные значения длины n:InxGa1-xAs-катода, концентрации ионизированных примесей в нем и высоты потенциального барьера на металлическом контакте, при которых эффективность генерации максимальна.
format Article
author Аркуша, Ю.В.
Прохоров, Э.Д.
Стороженко, И.П.
author_facet Аркуша, Ю.В.
Прохоров, Э.Д.
Стороженко, И.П.
author_sort Аркуша, Ю.В.
title Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна
title_short Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна
title_full Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна
title_fullStr Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна
title_full_unstemmed Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна
title_sort влияние металлического контакта к запорному inxga1-xas-gaas-гетерокатоду на работу gaas-диодов ганна
publisher Радіоастрономічний інститут НАН України
publishDate 2004
topic_facet Физические основы электронных приборов
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122553
citation_txt Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна / Ю.В. Аркуша, Э.Д. Прохоров, И.П. Стороженко // Радиофизика и радиоастрономия. — 2004. — Т. 9, № 3. — С. 331-336. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
series Радиофизика и радиоастрономия
work_keys_str_mv AT arkušaûv vliâniemetalličeskogokontaktakzapornomuinxga1xasgaasgeterokatodunarabotugaasdiodovganna
AT prohorovéd vliâniemetalličeskogokontaktakzapornomuinxga1xasgaasgeterokatodunarabotugaasdiodovganna
AT storoženkoip vliâniemetalličeskogokontaktakzapornomuinxga1xasgaasgeterokatodunarabotugaasdiodovganna
first_indexed 2023-10-18T20:42:06Z
last_indexed 2023-10-18T20:42:06Z
_version_ 1796150885833768960

Similar Items