2025-02-23T04:41:35-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-122553%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T04:41:35-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-122553%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T04:41:35-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T04:41:35-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна

Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна

Рассчитана частотная зависимость эффективности генерации m-n:InxGa1-xAs-n:GaAs-n+:GaAs-диодов Ганна с длиной активной области 2.5 мкм. Определены оптимальные значения длины n:InxGa1-xAs-катода, концентрации ионизированных примесей в нем и высоты потенциального барьера на металлическом контакте, при...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Аркуша, Ю.В., Прохоров, Э.Д., Стороженко, И.П.
Format: Article
Language:Russian
Published: Радіоастрономічний інститут НАН України 2004
Series:Радиофизика и радиоастрономия
Subjects:
Физические основы электронных приборов
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122553
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!

Internet

http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122553

Similar Items