Електрофізичні властивості супрамолекулярних ансамблів InSe<CH₄N₂S>, InSe<FeSO₄> та InSe<CH₄N₂S<FeSO₄>>

• Дата: 2017
• Автори: Іващишин, Ф.О., Григорчак, І.І., Матулка, Д.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian
• Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2017
• Назва видання: Журнал физики и инженерии поверхности
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122603
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Електрофізичні властивості супрамолекулярних ансамблів InSe<CH₄N₂S>, InSe<FeSO₄> та InSe<CH₄N₂S<FeSO₄>> / Ф.О. Іващишин, І.І. Григорчак, Д.В. Матулка // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2017. — Т. 2, № 1. — С. 4-11. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.

У роботі представлені результати досліджень електропровідних властивостей супрамолекулярних ансамблів InSe<CH₄N₂S>, InSe<FeSO₄> та InSe<CH₄N₂S<FeSO₄>> в залежності від ступеня ієрархізації гостьового контенту. Зокрема показано, що впровадження тіосечовини між шари монокристала InSe приводить до 3-кратного зменшення дійсної частини комплексного питомого опору інтеркалату. Розрахунки показали, що саме впровадження тіосечовини приводить до значних змін: густини станів на рівні Фермі, довжини перескоку і розкиду пасткових центрів. Підтвердження розрахунків отримано при вимірюванні струмів термостимульованої деполяризації. Натомість впровадження сульфату заліза (ІІ) приводить до появи явища «від’ємної ємності» при освітленні, що відкриває перспективу створення фотокерованих ліній затримки. Натомість коінтеркаляція тіосечовини та сульфату заліза (ІІ) нівелює перелічені вище ефекти. Також досліджено магнето- та фоточутливість отриманих інтеркалатів.