Електрофізичні властивості супрамолекулярних ансамблів InSe<CH₄N₂S>, InSe<FeSO₄> та InSe<CH₄N₂S<FeSO₄>>
У роботі представлені результати досліджень електропровідних властивостей супрамолекулярних ансамблів InSe<CH₄N₂S>, InSe<FeSO₄> та InSe<CH₄N₂S<FeSO₄>> в залежності від ступеня ієрархізації гостьового контенту. Зокрема показано, що впровадження тіосечовини між шари монокристал...
Збережено в:
| Дата: | 2017 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2017
|
| Назва видання: | Журнал физики и инженерии поверхности |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122603 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Електрофізичні властивості супрамолекулярних ансамблів InSe<CH₄N₂S>, InSe<FeSO₄> та InSe<CH₄N₂S<FeSO₄>> / Ф.О. Іващишин, І.І. Григорчак, Д.В. Матулка // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2017. — Т. 2, № 1. — С. 4-11. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-122603 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1226032017-07-16T03:03:17Z Електрофізичні властивості супрамолекулярних ансамблів InSe<CH₄N₂S>, InSe<FeSO₄> та InSe<CH₄N₂S<FeSO₄>> Іващишин, Ф.О. Григорчак, І.І. Матулка, Д.В. У роботі представлені результати досліджень електропровідних властивостей супрамолекулярних ансамблів InSe<CH₄N₂S>, InSe<FeSO₄> та InSe<CH₄N₂S<FeSO₄>> в залежності від ступеня ієрархізації гостьового контенту. Зокрема показано, що впровадження тіосечовини між шари монокристала InSe приводить до 3-кратного зменшення дійсної частини комплексного питомого опору інтеркалату. Розрахунки показали, що саме впровадження тіосечовини приводить до значних змін: густини станів на рівні Фермі, довжини перескоку і розкиду пасткових центрів. Підтвердження розрахунків отримано при вимірюванні струмів термостимульованої деполяризації. Натомість впровадження сульфату заліза (ІІ) приводить до появи явища «від’ємної ємності» при освітленні, що відкриває перспективу створення фотокерованих ліній затримки. Натомість коінтеркаляція тіосечовини та сульфату заліза (ІІ) нівелює перелічені вище ефекти. Також досліджено магнето- та фоточутливість отриманих інтеркалатів. В работе представлены результаты исследований электропроводящих свойств супрамолекулярных ансамблей InSe<CH₄N₂S>, InSe<FeSO₄> и InSe<CH₄N₂S<FeSO₄>> в зависимости от степени иерархии гостевого контента. В частности показано, что внедрение тиомочевины между слоями монокристалла InSe приводит к 3-кратному уменьшению действительной части комплексного удельного сопротивления интеркалата. Расчеты показали, что именно внедрение тиомочевины приводит к значительным изменениям: плотности состояний на уровне Ферми, длины перескока и разброса ловушек. Подтверждение расчетов получено при измерении токов термостимулированной деполяризации. Однако внедрение сульфата железа (II) приводит к появлению эффекта «отрицательной емкости» при освещении, что открывает перспективу к созданию фотоуправляемых линий задержки. Вместе с тем коинтеркаляция тиомочевины и сульфата железа (II) нивелирует вышеперечисленные эффекты. Также исследованы магнето- и фоточувствительность полученных интеркалатов. The dependence of electric conductivity properties of supramolecular ensembles InSe<CH₄N₂S>, InSe<FeSO₄> and InSe<CH₄N₂S<FeSO₄>> on the hierarchization degree of guest component was established in the work. It was shown in particularly, the insertion of thiourea into interlayer space of single crystal InSe results in 3 folded decrease in real component of specific complex impedance of intercalate in the work. As it was approved by calculation, the thiourea insertion leads to drastic changes in density of states at Fermi level, jump length and trap centers dispersion. Experimental results of thermodepolarizing current investigation confirmed calculations as well. At the same time Iron (II) Sulfate insertion leads to the negative capacitance effect at lighting, what opens a new view on photoregulated delay lines technologies. But the cointercalation of thiourea and Iron II Sulfate does not lead to above listed effects. Magneto- and photo- sensitivity of obtained intercalates was investigated. 2017 Article Електрофізичні властивості супрамолекулярних ансамблів InSe<CH₄N₂S>, InSe<FeSO₄> та InSe<CH₄N₂S<FeSO₄>> / Ф.О. Іващишин, І.І. Григорчак, Д.В. Матулка // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2017. — Т. 2, № 1. — С. 4-11. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. 2519-2485 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122603 537.226.8 uk Журнал физики и инженерии поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Ukrainian |
| description |
У роботі представлені результати досліджень електропровідних властивостей супрамолекулярних ансамблів InSe<CH₄N₂S>, InSe<FeSO₄> та InSe<CH₄N₂S<FeSO₄>> в залежності від ступеня ієрархізації гостьового контенту. Зокрема показано, що впровадження тіосечовини між шари монокристала InSe приводить до 3-кратного зменшення дійсної частини комплексного питомого опору інтеркалату. Розрахунки показали, що саме впровадження тіосечовини приводить до значних змін: густини станів на рівні Фермі, довжини перескоку і розкиду пасткових центрів. Підтвердження розрахунків отримано при вимірюванні струмів термостимульованої деполяризації. Натомість впровадження сульфату заліза (ІІ) приводить до появи явища «від’ємної ємності» при освітленні, що відкриває перспективу створення фотокерованих ліній затримки. Натомість коінтеркаляція тіосечовини та сульфату заліза (ІІ) нівелює перелічені вище ефекти. Також досліджено магнето- та фоточутливість отриманих інтеркалатів. |
| format |
Article |
| author |
Іващишин, Ф.О. Григорчак, І.І. Матулка, Д.В. |
| spellingShingle |
Іващишин, Ф.О. Григорчак, І.І. Матулка, Д.В. Електрофізичні властивості супрамолекулярних ансамблів InSe<CH₄N₂S>, InSe<FeSO₄> та InSe<CH₄N₂S<FeSO₄>> Журнал физики и инженерии поверхности |
| author_facet |
Іващишин, Ф.О. Григорчак, І.І. Матулка, Д.В. |
| author_sort |
Іващишин, Ф.О. |
| title |
Електрофізичні властивості супрамолекулярних ансамблів InSe<CH₄N₂S>, InSe<FeSO₄> та InSe<CH₄N₂S<FeSO₄>> |
| title_short |
Електрофізичні властивості супрамолекулярних ансамблів InSe<CH₄N₂S>, InSe<FeSO₄> та InSe<CH₄N₂S<FeSO₄>> |
| title_full |
Електрофізичні властивості супрамолекулярних ансамблів InSe<CH₄N₂S>, InSe<FeSO₄> та InSe<CH₄N₂S<FeSO₄>> |
| title_fullStr |
Електрофізичні властивості супрамолекулярних ансамблів InSe<CH₄N₂S>, InSe<FeSO₄> та InSe<CH₄N₂S<FeSO₄>> |
| title_full_unstemmed |
Електрофізичні властивості супрамолекулярних ансамблів InSe<CH₄N₂S>, InSe<FeSO₄> та InSe<CH₄N₂S<FeSO₄>> |
| title_sort |
електрофізичні властивості супрамолекулярних ансамблів inse<ch₄n₂s>, inse<feso₄> та inse<ch₄n₂s<feso₄>> |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| publishDate |
2017 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122603 |
| citation_txt |
Електрофізичні властивості супрамолекулярних ансамблів InSe<CH₄N₂S>, InSe<FeSO₄> та InSe<CH₄N₂S<FeSO₄>> / Ф.О. Іващишин, І.І. Григорчак, Д.В. Матулка // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2017. — Т. 2, № 1. — С. 4-11. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. |
| series |
Журнал физики и инженерии поверхности |
| work_keys_str_mv |
AT ívaŝišinfo elektrofízičnívlastivostísupramolekulârnihansamblívinsech4n2sinsefeso4tainsech4n2sfeso4 AT grigorčakíí elektrofízičnívlastivostísupramolekulârnihansamblívinsech4n2sinsefeso4tainsech4n2sfeso4 AT matulkadv elektrofízičnívlastivostísupramolekulârnihansamblívinsech4n2sinsefeso4tainsech4n2sfeso4 |
| first_indexed |
2023-10-18T20:42:12Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:42:12Z |
| _version_ |
1796150890508320768 |