Фоточувствительность и механизм протекания тока в гетероструктурах p-CdTe-SiO₂-Si с глубокими примесными уровнями
Изучено фоточувствительность и механизм протекания тока в низкоразмерных гетероструктурах p-CdTe-SiO₂-Si с глубокими примесными уровнями. Обнаружена пикосекундная фотопроводимость, что свидетельствует о наличии большой концентрации поверхностных рекомбинационных центров в пленках CdTe....
Збережено в:
| Дата: | 2017 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2017
|
| Назва видання: | Журнал физики и инженерии поверхности |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122606 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Фоточувствительность и механизм протекания тока в гетероструктурах p-CdTe-SiO₂-Si с глубокими примесными уровнями / Н. Жураев, М. Халилов, С. Отажонов, Н. Алимов // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2017. — Т. 2, № 1. — С. 29-32. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-122606 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1226062017-07-16T03:03:31Z Фоточувствительность и механизм протекания тока в гетероструктурах p-CdTe-SiO₂-Si с глубокими примесными уровнями Жураев, Н. Халилов, М. Отажонов, С. Алимов, Н. Изучено фоточувствительность и механизм протекания тока в низкоразмерных гетероструктурах p-CdTe-SiO₂-Si с глубокими примесными уровнями. Обнаружена пикосекундная фотопроводимость, что свидетельствует о наличии большой концентрации поверхностных рекомбинационных центров в пленках CdTe. Вивчено фоточувствительность і механізм протікання струму в низьковимірних гетероструктурах p-CdTe-SiO₂-Si з глибокими домішковими рівнями. Виявлена пікосекундна фотопровідність, що свідчить про наявність великої концентрації поверхневих рекомбінаційних центрів в плівках CdTe. The photosensitivity and the current flow mechanism in low-dimensional p-CdTe-SiO₂-Si heterostructures with deep impurity levels are studied. A picosecond photoconductivity was detected, which indicates the presence of a large concentration of surface recombination centers in CdTe films. 2017 Article Фоточувствительность и механизм протекания тока в гетероструктурах p-CdTe-SiO₂-Si с глубокими примесными уровнями / Н. Жураев, М. Халилов, С. Отажонов, Н. Алимов // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2017. — Т. 2, № 1. — С. 29-32. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 2519-2485 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122606 621. 315. 593 ru Журнал физики и инженерии поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| description |
Изучено фоточувствительность и механизм протекания тока в низкоразмерных гетероструктурах p-CdTe-SiO₂-Si с глубокими примесными уровнями. Обнаружена пикосекундная фотопроводимость,
что свидетельствует о наличии большой концентрации поверхностных рекомбинационных центров в пленках CdTe. |
| format |
Article |
| author |
Жураев, Н. Халилов, М. Отажонов, С. Алимов, Н. |
| spellingShingle |
Жураев, Н. Халилов, М. Отажонов, С. Алимов, Н. Фоточувствительность и механизм протекания тока в гетероструктурах p-CdTe-SiO₂-Si с глубокими примесными уровнями Журнал физики и инженерии поверхности |
| author_facet |
Жураев, Н. Халилов, М. Отажонов, С. Алимов, Н. |
| author_sort |
Жураев, Н. |
| title |
Фоточувствительность и механизм протекания тока в гетероструктурах p-CdTe-SiO₂-Si с глубокими примесными уровнями |
| title_short |
Фоточувствительность и механизм протекания тока в гетероструктурах p-CdTe-SiO₂-Si с глубокими примесными уровнями |
| title_full |
Фоточувствительность и механизм протекания тока в гетероструктурах p-CdTe-SiO₂-Si с глубокими примесными уровнями |
| title_fullStr |
Фоточувствительность и механизм протекания тока в гетероструктурах p-CdTe-SiO₂-Si с глубокими примесными уровнями |
| title_full_unstemmed |
Фоточувствительность и механизм протекания тока в гетероструктурах p-CdTe-SiO₂-Si с глубокими примесными уровнями |
| title_sort |
фоточувствительность и механизм протекания тока в гетероструктурах p-cdte-sio₂-si с глубокими примесными уровнями |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| publishDate |
2017 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122606 |
| citation_txt |
Фоточувствительность и механизм протекания тока в гетероструктурах p-CdTe-SiO₂-Si с глубокими примесными уровнями / Н. Жураев, М. Халилов, С. Отажонов, Н. Алимов // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2017. — Т. 2, № 1. — С. 29-32. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
| series |
Журнал физики и инженерии поверхности |
| work_keys_str_mv |
AT žuraevn fotočuvstvitelʹnostʹimehanizmprotekaniâtokavgeterostrukturahpcdtesio2sisglubokimiprimesnymiurovnâmi AT halilovm fotočuvstvitelʹnostʹimehanizmprotekaniâtokavgeterostrukturahpcdtesio2sisglubokimiprimesnymiurovnâmi AT otažonovs fotočuvstvitelʹnostʹimehanizmprotekaniâtokavgeterostrukturahpcdtesio2sisglubokimiprimesnymiurovnâmi AT alimovn fotočuvstvitelʹnostʹimehanizmprotekaniâtokavgeterostrukturahpcdtesio2sisglubokimiprimesnymiurovnâmi |
| first_indexed |
2023-10-18T20:42:13Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:42:13Z |
| _version_ |
1796150890829185024 |