2025-02-23T22:10:41-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-122606%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T22:10:41-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-122606%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T22:10:41-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T22:10:41-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Фоточувствительность и механизм протекания тока в гетероструктурах p-CdTe-SiO₂-Si с глубокими примесными уровнями
Изучено фоточувствительность и механизм протекания тока в низкоразмерных гетероструктурах p-CdTe-SiO₂-Si с глубокими примесными уровнями. Обнаружена пикосекундная фотопроводимость, что свидетельствует о наличии большой концентрации поверхностных рекомбинационных центров в пленках CdTe....
Saved in:
| Main Authors: | , , , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2017
|
| Series: | Журнал физики и инженерии поверхности |
| Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122606 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|