Антрацен між шарами неорганічного напівпровідника: відгук на електричне поле і освітлення

• Дата: 2017
• Автори: Григорчак, І.І, Іващишин, Ф.О., Кулик, Ю.О., Григорчак, О.І.
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian
• Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2017
• Назва видання: Журнал физики и инженерии поверхности
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122611
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Антрацен між шарами неорганічного напівпровідника: відгук на електричне поле і освітлення / І.І. Григорчак, Ф.О. Іващишин, Ю.О. Кулик, О.І. Григорчак // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2017. — Т. 2, № 1. — С. 52-61. — Бібліогр.: 24 назв. — рос.

Представлені результати дослідження властивостей клатратів матриць GaSe та InSe з «гостьовим» антраценом (С₁₄Н₁₀) та їх зміни у зовнішніх електричному та світлової хвилі полях. Встановлені закономірності трансформації спектру рентгенівської дифракції вихідних матриць при впровадженні антрацену. На основі частотних залежностей питомого комплексного імпедансу встановлені особливості струмопроходження перпендикулярно до нанопрошарків. Імпедансні дослідження відгуку сформованих клатратів на зовнішні електричне та світлової хвилі поля виявили від’ємний фотодіелектричний ефект і неординарну (осциляційну) поведінку реальної складової комплексного імпедансу, ініційовану постійним електричним полем. Вивчено відмінності властивостей наноструктур InSe<С₁₄Н₁₀> при їх фотоелектретизаційному синтезі та синтезі за звичайних умов.