2025-02-24T02:39:05-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-122734%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-24T02:39:05-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-122734%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-24T02:39:05-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-24T02:39:05-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Использование эффекта Кирлиан для контроля качества полупроводниковых пластин

Использование эффекта Кирлиан для контроля качества полупроводниковых пластин

Метод и оборудование для его реализации позволяют проводить контроль полупроводниковой пластины и отдельных ее участков.

Saved in:
Bibliographic Details
Main Author: Добровольский, Ю.Г.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 1999
Series:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122734
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
id irk-123456789-122734
record_format dspace
spelling irk-123456789-1227342017-07-20T03:02:40Z Использование эффекта Кирлиан для контроля качества полупроводниковых пластин Добровольский, Ю.Г. Метод и оборудование для его реализации позволяют проводить контроль полупроводниковой пластины и отдельных ее участков. The method and equipment for its realization allow to carry out control of semiconductor wafer and individual its sites. 1999 Article Использование эффекта Кирлиан для контроля качества полупроводниковых пластин / Ю.Г. Добровольский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1999. — № 5-6. — С. 22-24. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122734 Качество и надежность аппаратуры ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
description Метод и оборудование для его реализации позволяют проводить контроль полупроводниковой пластины и отдельных ее участков.
format Article
author Добровольский, Ю.Г.
spellingShingle Добровольский, Ю.Г.
Использование эффекта Кирлиан для контроля качества полупроводниковых пластин
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
author_facet Добровольский, Ю.Г.
author_sort Добровольский, Ю.Г.
title Использование эффекта Кирлиан для контроля качества полупроводниковых пластин
title_short Использование эффекта Кирлиан для контроля качества полупроводниковых пластин
title_full Использование эффекта Кирлиан для контроля качества полупроводниковых пластин
title_fullStr Использование эффекта Кирлиан для контроля качества полупроводниковых пластин
title_full_unstemmed Использование эффекта Кирлиан для контроля качества полупроводниковых пластин
title_sort использование эффекта кирлиан для контроля качества полупроводниковых пластин
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 1999
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122734
citation_txt Использование эффекта Кирлиан для контроля качества полупроводниковых пластин / Ю.Г. Добровольский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1999. — № 5-6. — С. 22-24. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
series Технология и конструирование в электронной аппаратуре
work_keys_str_mv AT dobrovolʹskijûg ispolʹzovanieéffektakirliandlâkontrolâkačestvapoluprovodnikovyhplastin
first_indexed 2023-10-18T20:42:30Z
last_indexed 2023-10-18T20:42:30Z
_version_ 1796150903145758720

Similar Items