Использование эффекта Кирлиан для контроля качества полупроводниковых пластин
Метод и оборудование для его реализации позволяют проводить контроль полупроводниковой пластины и отдельных ее участков.
Збережено в:
Дата: | 1999 |
---|---|
Автор: | |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1999
|
Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122734 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Использование эффекта Кирлиан для контроля качества полупроводниковых пластин / Ю.Г. Добровольский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1999. — № 5-6. — С. 22-24. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraineid |
irk-123456789-122734 |
---|---|
record_format |
dspace |
spelling |
irk-123456789-1227342017-07-20T03:02:40Z Использование эффекта Кирлиан для контроля качества полупроводниковых пластин Добровольский, Ю.Г. Метод и оборудование для его реализации позволяют проводить контроль полупроводниковой пластины и отдельных ее участков. The method and equipment for its realization allow to carry out control of semiconductor wafer and individual its sites. 1999 Article Использование эффекта Кирлиан для контроля качества полупроводниковых пластин / Ю.Г. Добровольский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1999. — № 5-6. — С. 22-24. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122734 Качество и надежность аппаратуры ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
collection |
DSpace DC |
language |
Russian |
description |
Метод и оборудование для его реализации позволяют проводить контроль полупроводниковой пластины и отдельных ее участков. |
format |
Article |
author |
Добровольский, Ю.Г. |
spellingShingle |
Добровольский, Ю.Г. Использование эффекта Кирлиан для контроля качества полупроводниковых пластин Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
author_facet |
Добровольский, Ю.Г. |
author_sort |
Добровольский, Ю.Г. |
title |
Использование эффекта Кирлиан для контроля качества полупроводниковых пластин |
title_short |
Использование эффекта Кирлиан для контроля качества полупроводниковых пластин |
title_full |
Использование эффекта Кирлиан для контроля качества полупроводниковых пластин |
title_fullStr |
Использование эффекта Кирлиан для контроля качества полупроводниковых пластин |
title_full_unstemmed |
Использование эффекта Кирлиан для контроля качества полупроводниковых пластин |
title_sort |
использование эффекта кирлиан для контроля качества полупроводниковых пластин |
publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
publishDate |
1999 |
url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122734 |
citation_txt |
Использование эффекта Кирлиан для контроля качества полупроводниковых пластин / Ю.Г. Добровольский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1999. — № 5-6. — С. 22-24. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
work_keys_str_mv |
AT dobrovolʹskijûg ispolʹzovanieéffektakirliandlâkontrolâkačestvapoluprovodnikovyhplastin |
first_indexed |
2023-10-18T20:42:30Z |
last_indexed |
2023-10-18T20:42:30Z |
_version_ |
1796150903145758720 |