2025-02-22T13:23:43-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-122743%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-22T13:23:43-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-122743%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-22T13:23:43-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-22T13:23:43-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия

Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия

Показана перспективность применения висмута в качестве металла-растворителя для жидкофазной эпитаксии арсенида галлия.

Saved in:
Bibliographic Details
Main Author: Шутов, С.В.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 1999
Series:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Subjects:
Материалы для электронных компонентов
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122743
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
id irk-123456789-122743
record_format dspace
spelling irk-123456789-1227432017-07-20T03:03:09Z Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия Шутов, С.В. Материалы для электронных компонентов Показана перспективность применения висмута в качестве металла-растворителя для жидкофазной эпитаксии арсенида галлия. The application prospects of bismuth as solvent of metal for gallium arsenide liquid-phase epitaxy has been shown. 1999 Article Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия / С.В. Шутов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1999. — № 5-6. — С. 48-50. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122743 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Материалы для электронных компонентов
Материалы для электронных компонентов
spellingShingle Материалы для электронных компонентов
Материалы для электронных компонентов
Шутов, С.В.
Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Показана перспективность применения висмута в качестве металла-растворителя для жидкофазной эпитаксии арсенида галлия.
format Article
author Шутов, С.В.
author_facet Шутов, С.В.
author_sort Шутов, С.В.
title Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия
title_short Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия
title_full Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия
title_fullStr Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия
title_full_unstemmed Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия
title_sort влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 1999
topic_facet Материалы для электронных компонентов
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122743
citation_txt Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия / С.В. Шутов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1999. — № 5-6. — С. 48-50. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.
series Технология и конструирование в электронной аппаратуре
work_keys_str_mv AT šutovsv vliânieizovalentnogolegirovaniâvismutomnasvojstvaépitaksialʹnogoarsenidagalliâ
first_indexed 2023-10-18T20:42:31Z
last_indexed 2023-10-18T20:42:31Z
_version_ 1796150904112545792

Similar Items